
股票简称:微导纳米 股票代码:688147
江苏微导纳米科技股份有限公司
Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co., Ltd.
(江苏省无锡市新吴区长江南路 27 号)
向不特定对象发行可转换公司债券
募集说明书
保荐人(主承销商)
广东省深圳市福田区中心三路 8 号卓越时代广场(二期)北座
二零二五年八月
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声 明
中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见,均不表明其对申请文件及
所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证,也不表明其对发行人的盈利能力、投
资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实
陈述。
根据《证券法》的规定,证券依法发行后,发行人经营与收益的变化,由发行人自
行负责。投资者自主判断发行人的投资价值,自主作出投资决策,自行承担证券依法发
行后因发行人经营与收益变化或者证券价格变动引致的投资风险。
任何投资者一经通过认购、交易、受让、继承或者其他合法方式持有本次债券,即
视作同意《受托管理协议》《债券持有人会议规则》及本募集说明书中其他有关发行人、
债券持有人、债券受托管理人等主体权利义务的相关约定,并同意委托中信证券股份有
限公司担任受托管理人。
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重大事项提示
公司特别提醒投资者注意下列重大事项或风险因素,并认真阅读本募集说明书相关
章节。
一、不满足投资者适当性要求的投资者所持本次可转债不能转股的风险
公司为科创板上市公司,本次向不特定对象发行可转换公司债券,参与可转债转股
的投资者,应当符合科创板股票投资者适当性管理要求。如可转债持有人不符合科创板
股票投资者适当性管理要求的,可转债持有人将不能将其所持的可转债转换为公司股票。
公司本次发行可转债设置了赎回条款,包括到期赎回条款和有条件赎回条款,在本
次发行的可转换公司债券期满后五个交易日内,公司将按债券面值的 110.00%(含最后
一期利息)的价格赎回未转股的可转换公司债券,有条件赎回价格为面值加当期应计利
息。如果公司可转债持有人不符合科创板股票投资者适当性要求,在所持可转债面临赎
回的情况下,考虑到其所持可转债不能转换为公司股票,如果公司按事先约定的赎回条
款确定的赎回价格低于投资者取得可转债的价格(或成本),投资者存在因赎回价格较
低而遭受损失的风险。
公司本次发行可转债设置了回售条款,包括有条件回售条款和附加回售条款,回售
价格为债券面值加当期应计利息。如果公司可转债持有人不符合科创板股票投资者适当
性要求,在满足回售条款的前提下,公司可转债持有人要求将其持有的可转换公司债券
全部或部分按债券面值加上当期应计利息价格回售给公司,公司将面临较大可转换公司
债券回售兑付资金压力并存在影响公司生产经营或募集资金投资项目正常实施的风险。
二、公司本次发行的可转换公司债券未提供担保
公司本次发行的可转债未提供担保措施。如果本次可转债存续期间出现对公司经营
管理和偿债能力有重大负面影响的事件,本次可转债可能因未提供担保而存在兑付风险。
三、关于公司本次发行可转换公司债券的信用评级
上海新世纪对本次可转债进行了评级,根据上海新世纪出具的《江苏微导纳米科技
股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券信用评级报告》(新世纪债评(2025)
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稳定。
在本次发行的可转债存续期间,评级机构将对公司主体和本次可转债进行跟踪评级。
如果由于外部经营环境、公司自身情况或评级标准变化等因素导致公司或本次可转债的
信用评级级别变化,将会增大投资者的风险,对投资者的利益产生一定影响。
四、特别风险提示
公司提请投资者仔细阅读本募集说明书“风险因素”全文,并特别注意以下风险:
(一)经营业绩波动甚至出现亏损的风险
报告期内,公司的营业收入分别为 68,451.19 万元、167,972.13 万元和 269,990.04
万元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为 1,980.63 万元、
公司在光伏新型高效电池和半导体各细分领域的产品、技术方面存在持续加强投入
的需求,相关投入会对公司经营业绩造成影响。如果未来由于新产品开发持续投入但未
能及时实现产业转化,或出现市场竞争加剧、下游客户投资需求变化,以及在手订单由
于生产、验收周期等因素影响未能及时转化为收入等情形,可能使公司面临一定的经营
压力,从而导致公司未来业绩存在大幅波动甚至出现亏损的风险。
除上述因素外,公司经营面临原材料价格上涨、主要产品价格下降、毛利率下滑、
存货跌价、应收账款减值、宏观经济形势变化等各项风险因素,若各项因素中的某一项
因素发生重大不利变化或者多项因素同时发生,公司将有可能出现本次可转债发行当年
净利润大幅下滑甚至亏损的风险。
(二)下游行业波动的风险
公司主营业务为先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售,向下游客
户提供尖端薄膜沉积设备、配套产品及服务,主要应用于半导体领域、光伏领域及其他
新兴领域,公司的经营状况与下游行业的发展密切相关。在半导体领域,如果由于国际
政治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等,导致半导
体行业固定资产投资及对设备需求的下降,将会影响公司经营业绩;在光伏领域,未来
如果光伏行业政策变化等因素导致行业景气度下降或者产能严重过剩,进而影响下游企
业对公司产品的需求,也可能对公司的经营业绩产生不利影响。
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(三)存货跌价的风险
报告期各期末,公司存货账面余额分别为 101,044.36 万元、330,410.73 万元和
货的主要组成部分。
公司存货账面余额较高,主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司
已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备,但仍不能排除市场
环境发生变化,或其他难以预计的原因,导致存货无法顺利实现销售,或者存货价格出
现大幅下跌的情况,使得公司面临存货跌价风险。
(四)客户集中度较高的风险
报告期内,公司对前五名客户的销售金额合计分别为 45,716.13 万元、130,355.52
万元和 136,892.48 万元,占公司主营业务收入的比例分别为 66.85%、77.67%和 50.78%。
如果未来公司无法进一步开拓新的客户及新的业务领域,或部分客户经营情况不利,或
由于选择其他技术路线,从而降低对公司产品的采购,将会影响公司的财务业绩。
(五)应收账款和合同资产无法回收的风险
报告期内,随着公司业务规模及营业收入的快速增长,应收账款和合同资产也大幅
增加。报告期各期末,公司应收账款和合同资产账面价值分别为 33,676.58 万元、
随着公司业务规模的扩大,公司的客户数量逐步增加,应收账款和合同资产的金额
及占比可能会进一步增加。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶化等因素导致
应收账款和合同资产不能按期回收,并导致需要计提较大金额的坏账准备或无法回收发
生坏账的情况,将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。
(六)募集资金投资项目相关风险
发行人本次募集资金投资的建设项目包括半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项
目、研发实验室扩建项目,是在发行人现有业务的基础上依据业务发展规划所制定的。
虽然公司根据行业发展现状和趋势对本次募投项目可行性进行了深入研究和充分论证,
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并在技术、人员、市场等方面作了较为充分的准备,但若出现募集资金不能及时到位、
项目延期实施、市场或产业环境出现重大变化等情况,可能导致项目实施过程中的某一
环节出现延误或停滞,公司募投项目存在不能全部按期建设完成的风险。
公司本次募投项目中,半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目的产品与公司现有
半导体设备产品虽然均属于应用于半导体领域的薄膜沉积设备,但在产品设计、材料类
型、性能指标等方面将在公司现有产品基础上持续迭代升级。因此,若未来该项目建设
完成后相关产品验证进度不及预期,导致下游客户的采购需求不及预期,可能存在募投
项目短期内无法盈利的风险,进而对公司整体经营业绩产生不利影响。
半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒,由于传统的国际大型厂商成立较早,有
先发优势,而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点,后
发厂商的客户认证壁垒较高。多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由 AMAT、
LAM、TEL、ASM 等传统设备厂商占有主要市场份额。当前,国内晶圆厂商对半导体
工艺设备的国产化需求强烈,本土半导体设备的导入和验证加速,薄膜沉积设备作为半
导体制造的核心设备,迎来巨大的发展机遇。
报告期内,公司半导体设备产销率分别为 20.00%、16.67%和 43.75%,本次募投项
目自建设期第 3 年实现产出,预计第 3 年至第 5 年产销率分别为 75.00%、91.43%、
模式及公司生产经营活动中产销率的历史数据,结合产品验收周期并辅以谨慎的产能释
放节奏进行合理预测。但考虑到境外传统设备厂商的市场地位、中国境内同行业公司之
间竞争日趋激烈,本次募投项目的产品在市场竞争中达到预期的产销率存在一定不确定
性,从而使得公司本次募投项目存在一定的产能消化风险。
公司本次募集资金投资项目中包含规模较大的资本性支出。项目建成并投产后,公
司固定资产及无形资产规模将有所增长。本次募投项目的实施会导致公司未来整体折旧
和摊销金额增加,虽然公司已对本次募集资金投资项目进行了较为充分的市场调查及可
行性论证,预计项目实现的利润规模以及公司未来盈利能力的增长能够消化本次募投项
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目新增折旧和摊销。但鉴于未来行业发展趋势、下游客户需求以及市场竞争情况等存在
不确定性,在本次募投项目对公司经营整体促进作用体现之前,公司存在因折旧或摊销
增加而导致利润下降的风险。
报告期内,半导体领域设备毛利率分别为 32.31%、22.24%以及 27.68%,公司根据
实际经营的历史数据以及公司所处发展阶段、可比公司毛利率水平对本次募集资金投资
项目半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目进行了效益测算,待项目建设完成并达产
后,预计可获得较好的经济效益,项目达产期平均毛利率 39.02%。本次募投项目效益
测算是基于项目如期建设完毕并按计划投产后实现销售,因此若项目建设进度不及预期、
产品价格或成本出现大幅波动或者未来行业技术发展趋势出现重大变化、半导体产品毛
利率未达预期,可能对本次募投项目的效益释放带来一定影响,募投项目可能面临短期
内不能实现预测收入和利润的风险。同时,由于下游客户实际采购需求和本次募投项目
的测算可能存在差距,如果本次募投项目的销售进展无法达到预期,可能导致本次募投
项目面临营业收入和利润总额等经营业绩指标下滑,投资回报率降低的风险。
(七)经营性现金流风险
报告期内,公司净利润分别为 5,415.05 万元、27,039.19 万元和 22,670.82 万元,公
司经营活动产生的现金流量净额分别为 16,849.69 万元、9,333.01 万元和-99,989.87 万元。
公司经营活动现金流量净额与净利润存在偏离,主要由于订单增长以及发出商品验收周
期较长,从而导致存货规模增加,且预收款项不足以完全覆盖公司为订单生产所支付的
全部成本和费用。从短期看,公司流动性风险较小,但从中长期看,若经营性现金流持
续不佳,可能对公司业务发展造成较大不利影响。
(八)资产负债率较高的风险
报告期各期末,公司资产负债率分别为 48.62%、69.08%和 68.58%,2023 年末和
预收类款项较高,在业务规模快速攀升的背景下,公司应付票据、应付账款及合同负债
等经营性流动负债相应增长,推动报告期内资产负债率水平持续提升;同时公司通过短
期借款等方式补充因业务发展和研发投入产生的流动性资金需求,亦拉高了公司资产负
债率水平。合理的资产负债结构对于公司的经营发展至关重要,虽然本次发行完成转股
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后公司资产负债率将有所下降,但如果公司未来的资产负债率水平因业务发展和研发投
入持续增长而不能保持在合理的范围内,则可能对公司的稳健经营产生不利的影响。
(九)资本化研发项目推进不利的风险
若公司报告期内未进行研发费用资本化处理,则公司 2023 年与 2024 年的研发费用
将有所提升,归母净利润预计将相应下降 13,098.69 万元、15,198.44 万元。如未来公司
在市场环境、技术方向、经营战略等方面发生不利变化,导致资本化研发项目研发失败、
终止或无法持续满足资本化条件,则公司可能需要对已资本化的研发投入计提减值准备
或进行费用化处理,从而对公司盈利状况造成不利影响。
五、关于应对本次发行摊薄即期回报的应对措施及相关主体的承诺
(一)公司应对本次发行摊薄即期回报采取的主要措施
公司已根据法律法规和规范性文件的规定建立健全了股东大会、董事会及其各专门
委员会、监事会、独立董事、董事会秘书和高级管理层的管理结构,夯实了公司经营管
理和内部控制的基础。未来几年,公司将严格遵循《公司法》《证券法》《上市公司章
程指引》等法律、法规和规范性文件的要求,不断完善公司法人治理结构。同时,公司
将全面有效地控制公司经营和管控风险,继续不断完善并强化各项程序,提升公司的经
营管理水平,加强公司内部控制。
公司已根据《公司法》《证券法》和《上市公司监管指引第 2 号-上市公司募集资
金管理和使用的监管要求》等法律、法规和规范性文件的规定,结合公司实际情况,制
定并完善了《江苏微导纳米科技股份有限公司募集资金管理制度》。本次可转债的募集
资金到位后,将存放于公司董事会决定的专项账户中,公司将定期对募集资金进行检查,
并配合监管银行和保荐机构对募集资金使用进行监督,以保证募集资金合理规范使用,
合理防范募集资金使用风险。
公司已对本次募集资金投资项目的可行性进行了充分论证,募投项目符合产业发展
趋势和国家产业政策,具有较好的市场前景和盈利能力。在本次发行募集资金到位前,
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为使募集资金投资项目尽快实施,公司将积极调配资源,实施募投项目的建设工作;本
次发行募集资金到位后,公司将加快推进募投项目建设,争取募投项目早日达产并实现
预期效益。随着本次募集资金投资项目的实施,公司现有的生产能力和产品品质将得到
一定程度上的提高,公司的持续经营能力和盈利能力都将得到进一步增强,本次发行导
致的股东即期回报摊薄风险将持续降低。
公司现行《公司章程》中已对利润分配政策进行了明确规定,充分考虑了对投资者
的回报,公司将按照《公司章程》及未来三年股东分红回报规划的约定向股东分配股利。
未来公司将按照中国证监会《上市公司监管指引第 3 号-上市公司现金分红(2025 年修
订)》等相关文件规定,结合公司实际经营状况和《公司章程》的规定,严格执行现行
分红政策,在符合条件的情况下积极推动对广大股东的利润分配以及现金分红,提升股
东回报水平。
(二)公司相关主体对本次发行可转债摊薄即期回报采取填补措施的承诺
公司全体董事、高级管理人员就公司本次向不特定对象发行可转换公司债券填补即
期回报措施能够得到切实履行等相关事项作出以下承诺:
(1)本人承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益,也不采用其
他方式损害上市公司利益;
(2)本人承诺对本人的职务消费行为进行约束;
(3)本人承诺不动用公司资产从事与其履行职责无关的投资、消费活动;
(4)本人承诺由董事会或薪酬与考核委员会制定的薪酬制度与上市公司填补即期
回报措施的执行情况相挂钩;
(5)若上市公司未来实施股权激励,本人承诺拟公布的上市公司股权激励的行权
条件与上市公司填补即期回报措施的执行情况相挂钩;
(6)自本承诺出具日至上市公司本次向不特定对象发行可转换公司债券实施完毕
前,若中国证券监督管理委员会等证券监管机构作出关于填补即期回报措施及其承诺的
其他新的监管规定的,且上述承诺相关内容不能满足中国证券监督管理委员会等证券监
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管机构的该等规定时,本人承诺届时将按照证券监管机构的最新规定出具补充承诺。
作为填补即期回报措施相关责任主体之一,本人承诺切实履行上市公司制定的有关
填补即期回报措施以及承诺人对此作出的任何有关填补即期回报措施的承诺。若违反上
述承诺或拒不履行上述承诺,本人同意按照中国证券监督管理委员会和上海证券交易所
等证券监管机构按照其制定或发布的有关规定、规则,对本人采取相关管理措施或作出
相关处罚;若违反该等承诺并给上市公司或者投资者造成损失的,本人愿意依法承担对
上市公司或者投资者的补偿责任。
履行的承诺
公司控股股东、实际控制人及其一致行动人就公司本次向不特定对象发行可转换公
司债券填补即期回报措施能够得到切实履行等相关事项作出如下承诺:
(1)不越权干预上市公司经营管理活动,不侵占上市公司利益;
(2)自本承诺出具日至上市公司本次向不特定对象发行可转换公司债券实施完毕前,
若中国证券监督管理委员会等证券监管机构作出关于填补即期回报措施及其承诺的其他
新的监管规定的,且上述承诺相关内容不能满足中国证券监督管理委员会等证券监管机构
的该等规定时,本人/本企业承诺届时将按照证券监管机构的最新规定出具补充承诺;
(3)作为填补即期回报措施相关责任主体,本人/本企业承诺切实履行上市公司制
定的有关填补即期回报措施以及本人/本企业对此作出的任何有关填补即期回报措施的
承诺。若违反上述承诺或拒不履行上述承诺,本人/本企业同意按照中国证券监督管理
委员会和上海证券交易所等证券监管机构按照其制定或发布的有关规定、规则,对本人
/本企业采取相关管理措施或作出相关处罚;若违反该等承诺并给上市公司或者投资者
造成损失的,本人/本企业愿意依法承担对上市公司或者投资者的补偿责任。
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目 录
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二、公司及董事、监事、高级管理人员、控股股东、实际控制人报告期内被证券监
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第一节 释义
本募集说明书中,除非文意另有所指,下列简称具有如下含义:
一、一般术语
公司、本公司、发行人、微导纳米 指 江苏微导纳米科技股份有限公司
微导有限 指 江苏微导纳米装备科技有限公司,系微导纳米的前身
微导纳米沈阳分公司 指 江苏微导纳米科技股份有限公司沈阳分公司
《江苏微导纳米科技股份有限公司向不特定对象发行可
本募集说明书 指
转换公司债券募集说明书》
《江苏微导纳米科技股份有限公司可转换公司债券受托
《受托管理协议》 指
管理协议》
《江苏微导纳米科技股份有限公司可转换公司债券持有
《债券持有人会议规则》 指
人会议规则》
《公司章程》 指 《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》及其修正案
本次发行、本次向不特定对象发行、
本次发行的可转换公司债券、本次 江苏微导纳米科技股份有限公司向不特定对象发行可转
指
可转债、本次发行的可转债、本期 换公司债券
可转债
实际控制人 指 王燕清、倪亚兰、王磊
西藏万海盈创业投资合伙企业(有限合伙),曾用名无
控股股东、万海盈投资 指 锡万海盈投资合伙企业(有限合伙),为发行人之控股
股东
聚海盈管理 指 无锡聚海盈管理咨询合伙企业(有限合伙)
德厚盈投资 指 无锡德厚盈投资合伙企业(有限合伙)
聚源中小企业发展创业投资基金(绍兴)合伙企业(有
聚源创投 指 限合伙),曾用名为“中小企业发展基金(绍兴)股权
投资合伙企业(有限合伙)”
君联晟灏 指 上海君联晟灏创业投资合伙企业(有限合伙)
无锡毓立 指 无锡毓立创业投资合伙企业(有限合伙)
先导智能 指 无锡先导智能装备股份有限公司
先导控股 指 先导控股集团有限公司
泰坦新动力 指 珠海泰坦新动力电子有限公司
恒云太 指 江苏恒云太信息科技有限公司
天芯微 指 江苏天芯微半导体设备有限公司
拉萨欣导创业投资有限公司,曾用名上海旭函企业管理
欣导投资 指 合伙企业(有限合伙)、江苏欣导创业投资合伙企业(有
限合伙)
上海卓遨 指 上海卓遨企业管理合伙企业(有限合伙)
无锡鼎鸣 指 无锡鼎鸣管理咨询合伙企业(有限合伙)
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芯链融创集成电路产业发展(北京)有限公司,系公司
芯链融创 指
参股子公司
广州中科共芯半导体技术合伙企业(有限合伙),系公
中科共芯 指
司参股子公司
阿特斯阳光电力集团股份有限公司(688472.SH)及其同
阿特斯 指
一集团控制下的企业,系发行人客户
通威股份有限公司(600438.SH)及其同一集团控制下的
通威股份 指
企业,系发行人客户
隆基绿能科技股份有限公司(601012.SH)及其同一集团
隆基绿能 指
控制下的企业,系发行人客户
江苏中润光能科技股份有限公司及其同一集团控制下的
中润光能 指
企业,系发行人客户
海南钧达新能源科技股份有限公司(002865.SZ)及其同
钧达股份 指
一集团控制下的企业,系发行人客户
晶科能源股份有限公司(688223.SH)及其同一集团控制
晶科能源 指
下的企业,系发行人客户
顺风国际清洁能源有限公司(01165.HK)及其同一集团
顺风清洁能源 指
控制下的企业,系发行人客户
上海爱旭新能源股份有限公司(600732.SH)及其同一集
爱旭股份 指
团控制下的企业,系发行人客户
晶澳太阳能科技股份有限公司(002459.SZ)及其同一集
晶澳科技 指
团控制下的企业,系发行人客户
天合光能股份有限公司(688599.SH)及其同一集团控制
天合光能 指
下的企业,系发行人客户
SMC 自动化有限公司上海分公司及其同一集团控制下
SMC 指
的企业,系发行人供应商
捷佳伟创 指 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司(300724.SZ)
北方华创 指 北方华创科技集团股份有限公司(002731.SZ)
拓荆科技 指 拓荆科技股份有限公司(688072.SH)
中微公司 指 中微半导体设备(上海)股份有限公司(688012.SH)
拉普拉斯 指 拉普拉斯新能源科技股份有限公司(688726.SH)
AMAT、应用材料 指 Applied Materials,Inc.
LAM、泛林半导体 指 Lam Research Corporation
TEL、东京电子 指 Tokyo Electron Limited
ASM、先晶半导体 指 ASM International
CTO 指 首席技术官
保荐机构、保荐人、中信证券、主
指 中信证券股份有限公司
承销商、受托管理人
发行人律师、德恒律师 指 北京德恒律师事务所
申报会计师、中兴华会计师 指 中兴华会计师事务所(特殊普通合伙)
天职国际 指 天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)
评级公司、上海新世纪 指 上海新世纪资信评估投资服务有限公司
董事会 指 江苏微导纳米科技股份有限公司董事会
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监事会 指 江苏微导纳米科技股份有限公司监事会
股东大会 指 江苏微导纳米科技股份有限公司股东大会
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
报告期、最近三年 指 2022 年度、2023 年度和 2024 年度
报告期末 指
元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元
二、专业术语
Atomic Layer Deposition,是一种可以将物质以单原子层形式一层一层地
ALD、原子层沉积 指
镀在基底表面的工艺
Thermal Atomic Layer Deposition(热原子层沉积),一种原子层沉积技
TALD 指
术
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(等离子体增强原子层沉积),
PEALD 指
一种原子层沉积技术
Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积法),利用气态或蒸汽态的物
CVD 指
质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(等离子体增强化学气相沉
PECVD 指 积),CVD 的一种,在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化
学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法
Low Pressure Chemical Vapor Deposition(低压化学气相沉积),CVD 的
LPCVD 指
一种
Physical Vapor Deposition(物理气相沉积),利用物理过程实现物质转移,
PVD 指
将原子或分子由源转移到基材表面上的过程
晶硅太阳能电池 指 采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池
Flexible Electronics,是一种技术的通称,是将有机/无机材料电子器件制
柔性电子 指
作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术
Micro Electro Mechanical System(微机电系统),是集微传感器、微执行
器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集
MEMS 指
成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统,其内部结构一般在微
米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统
晶圆 指 用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料
逻辑芯片 指 一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定
又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备,其存
存储芯片 指 储与读取过程体现为电子的存储或释放,广泛应用于内存、U 盘、消费
电子、智能终端、固态存储硬盘等领域
舟 指 由石英或金属连接而成承载晶圆的装置
Light Emitting Diode(发光二极管),一种常用的发光器件,通过电子与
LED 指
空穴复合释放能量发光
Organic Light Emitting Diode,属于一种电流型的有机发光器件,是通过
OLED 指
载流子的注入和复合而致发光的现象,发光强度与注入的电流成正比
TOPCon 指 Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化物钝化接触,一种电池结构
HJT 指 Hetero junction with Intrinsic Thin Layer(具有本征薄层异质结),又称为
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HJT/SHJ,一种异质结太阳能电池
Interdigitated Back Contact(叉型背接触电池),一种高效晶硅太阳能电
IBC 指
池结构
IBC 以及 TBC(TOPCon 技术与 IBC 技术结合的 BC 类太阳能电池结构)
XBC 指
等 BC 类太阳能电池
k、介电常数 指 希腊文 Kappa,描述一种材料保有电荷的能力
High-k 指 具有高 k 性质的材料,可以比其他材料能够更好地存储电荷
栅、栅极 指 Gate,用来打开或闭合晶体管,包括有多晶硅栅、金属栅等
栅介质 指 Gate dielectric,是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层
Multiple Patterning,将一层图形光掩模拆成两层或多层光掩模,分先后
多重曝光 指
制作,实现精度更高的图形制造
Field-effect Transistor,即场效应晶体管,包含源、栅、漏极的晶体管。
场效应晶体管 指 其行为由源极经过栅极流向漏极的多数载流子电流决定。电流由栅极下
的横向电场控制
Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器,采用动态存储单元
DRAM 指
的随机存储器
NAND 指 闪存,属于非易失性存储器
Semiconductor Equipmentand Materials International,国际半导体装备与材
SEMI 指
料产业协会
中 国 光 伏 行 业 协 会 ( CHINA PHOTOVOLTAIC INDUSTRY
CPIA 指
ASSOCIATION)
WSTS 指 世界半导体贸易组织(World Semiconductor Trade Statistics)
nm/纳米 指 长度的度量单位,国际单位制符号为 nm,1 纳米等于一百万分之一毫米
KW、MW、GW 指 千瓦、兆瓦、吉瓦,1MW=1,000KW,1GW=1,000MW
注:本募集说明书中,部分合计数与各加数直接相加之和在尾数上可能略有差异,这些差异是由于
四舍五入造成的;本募集说明书中第三方数据不存在专门为本次发行准备的情形,发行人亦未为此
支付费用或提供帮助。
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第二节 本次发行概况
一、发行人基本情况
中文名称:江苏微导纳米科技股份有限公司
英文名称:Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co., Ltd.
注册地址:无锡市新吴区长江南路 27 号
股票简称:微导纳米
股票代码:688147
股票上市地:上海证券交易所
二、本次发行的背景和目的
(一)本次发行的背景
受宏观经济、技术水平、供需关系等多重因素共同影响,全球半导体产业呈现出螺
旋式增长态势,据 WSTS 数据,全球半导体市场规模由 2019 年的 4,123 亿美元增长至
手机、电脑等消费电子销售低迷。未来,在存储市场高速增长的推动下,全球半导体市
场规模有望摆脱低迷,预计 2024 年将增长至 5,884 亿美元。据 WSTS 数据,中国半导
体行业市场规模由 2019 年的 1,441 亿美元增长至 2023 年的 1,820 亿美元,按照中国半
导体市场规模约占全球市场的 35%测算,2024 年国内市场规模将达 2,059 亿美元。
薄膜沉积设备在半导体领域中主要应用于逻辑、存储芯片的制造以及器件内各种金
属层、介质层、钝化层、阻挡层、硬掩膜、自对准双重成像与部分半导体膜的制备。半
导体产业规模的持续增加,推动晶圆厂扩产进程不断加速,从而为薄膜沉积设备市场带
来广阔的发展空间。除此之外,随着集成电路制造工艺不断向更先进的制程发展,薄膜
沉积设备不仅要满足市场需求的持续增长,还需应对日益严格的技术挑战,市场对于高
性能薄膜沉积设备的需求也在逐渐增长,这为相关设备的研发与制造提供了发展新机遇。
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数据来源:WSTS
薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层,使之具
备一定的特殊性能。在半导体领域,薄膜沉积设备主要应用于逻辑、存储芯片的制造过
程中,其能够精确、均匀地沉积不同材料的薄膜,调控半导体器件的电学、光学和磁学
性质,进而提升半导体器件的整体性能。
近年来,受益于半导体领域行业景气度的持续攀升,半导体薄膜沉积设备市场呈现
出较好的发展态势。据 SEMI 统计,2023 年全球半导体薄膜沉积设备市场规模为 211
亿美元,结合中国大陆半导体制造设备销售额占全球销售额约 29%的比例测算,2023
年中国大陆半导体薄膜沉积设备市场规模约为 61 亿美元。随着芯片制造工艺不断走向
精密化,所需要的薄膜层数越来越多,推动半导体薄膜沉积设备市场需求持续增长,
Maximize Market Research 预计 2029 年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达 559 亿美
元,同比推算国内市场规模将达 162 亿美元。
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数据来源:Maximize Market Research
(二)本次发行的目的
半导体产业是现代信息社会的基石,其发展水平直接影响我国信息技术、网络安全
和先进制造竞争力。然而自 2015 年起,美国就通过进出口限制、技术封锁等多种措施
制约我国半导体产业的发展,这虽然给我国相关产业发展带来了一定的困扰,但同时也
催生了国内半导体厂商自主创新、赶超世界先进水平的强烈需求。为推动我国半导体产
业的发展,国家先后设立国家重大专项、国家集成电路基金,并颁发了《关于推动高端
装备制造业高质量发展的指导意见》等相关支持政策,使得本土半导体及其设备制造业
迎来了前所未有的发展契机。
薄膜沉积设备作为半导体制造过程中的关键设备,其性能和技术水平直接关系到芯
片的质量和性能。随着国内半导体市场的不断扩大,对薄膜沉积设备的需求也在持续增
长。然而,目前我国在高端薄膜沉积设备领域基本依赖进口,这不仅增加了生产成本,
也制约了我国半导体产业的供应链安全。因此,积极推动对薄膜沉积设备的扩产和重点
技术的突破与创新,对于加快我国半导体行业产业升级进程具有重要意义。公司作为一
家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商,现已研制出多种真空薄膜技术梯
次发展的薄膜沉积设备产品体系。基于公司强大的技术基础和良好的市场发展机遇,公
司计划进一步扩大生产规模,投入研发资源,优化生产流程,提升产能和效率,助力我
国半导体设备技术升级,推动我国半导体产业链良性发展。
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公司深耕薄膜沉积设备制造领域多年,致力于先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的
研发、生产与应用,将“成为世界级的微纳制造装备领军企业”视为公司未来发展目标。
目前,公司已形成较为完善的产品研发、生产制造、营销服务和质量管理体系,凭借丰
富的技术储备已构建起多元化的产品结构。未来,公司将持续围绕市场需求,深化自主
创新,加快核心技术攻关,进一步拓展薄膜沉积技术的应用领域,从而在全球微纳制造
装备领域中占据有利地位。
在薄膜沉积设备的研发制造过程中,量测环节发挥着关键作用,其不仅能够提供精
确的数据支持,确保设备的准确性和可靠性,还直接关系到客户的实际需求与满意度。
随着半导体技术、纳米科技以及微电子行业的持续演进与革新,市场对薄膜沉积设备质
量要求日益提高,客户对设备的性能参数、运行过程中的稳定性和可靠性等方面也提出
更为严格的标准。为应对这一挑战,公司亟需全面提升量测精确水平和效率,以确保产
品能够满足市场的高标准要求。
公司计划扩建研发实验室,旨在通过精密测量、技术验证、质量控制、市场应用及
人才培养等关键工作,确保产品质量稳定可靠的同时持续推动技术创新和产品研发,从
而在不断推陈出新的市场环境中保持竞争优势,为实现成为世界级的微纳制造装备领军
企业的目标提供技术支撑。
三、本次发行基本情况
(一)本次发行的基本条款
本次发行证券的种类为可转换为公司 A 股普通股股票的可转换公司债券。该可转
债及未来经本次可转债转换的公司 A 股股票将在上海证券交易所上市。
本次拟发行可转债总额为人民币 117,000.00 万元,发行数量 1,170,000 手(11,700,000
张)。
本次发行的可转债每张面值为人民币 100 元,按票面价格发行。
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本次发行的可转债的期限为自发行之日起六年,即自 2025 年 8 月 6 日(T 日)至
款项不另计息)。
本次发行的可转债票面利率设定为:第一年 0.20%、第二年 0.40%、第三年 0.80%、
第四年 1.20%、第五年 1.50%、第六年 2.00%。
本次发行的可转换公司债券采用每年付息一次的付息方式,到期归还未转股的可转
换公司债券本金并支付最后一年利息。
(1)年利息计算
年利息指可转换公司债券持有人按持有的可转换公司债券票面总金额自可转换公
司债券发行首日起每满一年可享受的当期利息。
年利息的计算公式为:I=B×i
I:指年利息额;
B:指本次发行的可转换公司债券持有人在计息年度(以下简称“当年”或“每年”
)
付息债权登记日持有的可转换公司债券票面总金额;
i:指可转换公司债券的当年票面利率。
(2)付息方式
年利息指可转换公司债券持有人按持有的可转换公司债券票面总金额自可转换公
司债券发行首日起每满一年可享受的当期利息。
公司债券发行首日。
如该日为法定节假日或休息日,则顺延至下一个交易日,顺延期间不另付息。每相邻的
两个付息日之间为一个计息年度。
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在每年付息日之后的五个交易日内支付当年利息。在付息债权登记日前(包括付息债权
登记日)申请转换成公司股票的可转换公司债券,公司不再向其持有人支付本计息年度
及以后计息年度的利息。
本次发行的可转债转股期限自发行结束之日(2025 年 8 月 12 日,T+4 日)起满六
个月后的第一个交易日(2026 年 2 月 12 日,非交易日顺延)起至可转债到期日(2031
年 8 月 5 日)止(如遇法定节假日或休息日延至其后的第 1 个交易日;顺延期间付息款
项不另计息)。
本次发行的可转换公司债券转股股份全部来源于新增股份。
(1)初始转股价格的确定依据
本次发行可转换公司债券的初始转股价格为 33.57 元/股,不低于募集说明书公告日
前二十个交易日公司股票交易均价(若在该二十个交易日内发生过因除权、除息引起股
价调整的情形,则对调整前交易日的交易均价按经过相应除权、除息调整后的价格计算)
和前一个交易日公司股票交易均价,且不得向上修正。
前二十个交易日公司股票交易均价=前二十个交易日公司股票交易总额/该二十个
交易日公司股票交易总量;
前一个交易日公司股票交易均价=前一个交易日公司股票交易总额/该日公司 A 股
股票交易总量。
(2)转股价格的调整方式及计算公式
在本次发行之后,当公司发生派送股票股利、转增股本、增发新股(不包括因本次
发行的可转债转股而增加的股本)、配股或派送现金股利等情况使公司股份发生变化时,
将按下述公式进行转股价格的调整(保留小数点后两位,最后一位四舍五入):
派送股票股利或转增股本:P1=P0/(1+n);
增发新股或配股:P1=(P0+A×k)/(1+k);
上述两项同时进行:P1=(P0+A×k)/(1+n+k);
派送现金股利:P1=P0-D;
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上述三项同时进行:P1=(P0-D+A×k)/(1+n+k)。
其中:P0 为调整前转股价,n 为派送股票股利或转增股本率,k 为增发新股或配股
率,A 为增发新股价或配股价,D 为每股派送现金股利,P1 为调整后转股价。
当公司出现上述股份和/或股东权益变化情况时,将依次进行转股价格调整,并在
上海证券交易所网站(http://www.sse.com.cn)或中国证监会指定的上市公司其他信息
披露媒体上刊登相关公告,并于公告中载明转股价格调整日、调整办法及暂停转股时期
(如需)。当转股价格调整日为本次发行的可转换公司债券持有人转股申请日或之后,
转换股份登记日之前,则该持有人的转股申请按公司调整后的转股价格执行。
当公司可能发生股份回购、合并、分立或任何其他情形使公司股份类别、数量和/
或股东权益发生变化从而可能影响本次发行的可转换公司债券持有人的债权利益或转
股衍生权益时,公司将视具体情况按照公平、公正、公允的原则以及充分保护本次发行
的可转换公司债券持有人权益的原则调整转股价格。有关转股价格调整内容及操作办法
将依据届时国家有关法律法规、证券监管部门和上海证券交易所的相关规定来制订。
(1)修正条件及修正幅度
在本次发行的可转换公司债券存续期间,当公司股票在任意连续三十个交易日中至
少有十五个交易日的收盘价低于当期转股价格的 85%时,公司董事会有权提出转股价格
向下修正方案并提交公司股东大会审议表决。
若在前述三十个交易日内发生过转股价格调整的情形,则在转股价格调整日前的交
易日按调整前的转股价格和收盘价计算,在转股价格调整日及之后的交易日按调整后的
转股价格和收盘价计算。
上述方案须经出席会议的股东所持表决权的三分之二以上通过方可实施。股东大会
进行表决时,持有本次发行的可转换公司债券的股东应当回避。修正后的转股价格应不
低于该次股东大会召开日前二十个交易日公司股票交易均价和前一交易日公司股票交
易均价之间的较高者,同时,修正后的转股价格不得低于最近一期经审计的每股净资产
值和股票面值。
(2)修正程序
如公司股东大会审议通过向下修正转股价格,公司将在符合中国证监会规定的上市
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公司信息披露媒体上刊登相关公告,公告修正幅度、股权登记日及暂停转股期间(如需)
等有关信息。从股权登记日后的第一个交易日(即转股价格修正日)起,开始恢复转股
申请并执行修正后的转股价格。若转股价格修正日为转股申请日或之后、转换股票登记
日之前,该类转股申请应按修正后的转股价格执行。
本次发行的可转债持有人在转股期内申请转股时,转股数量 Q 的计算方式为:
Q=V/P,并以去尾法取一股的整数倍。其中:
V:指可转债持有人申请转股的可转债票面总金额;
P:指申请转股当日有效的转股价格。
本次可转债持有人申请转换成的股份须是整数股。转股时不足转换为一股的本次可
转债余额,公司将按照上海证券交易所等部门的有关规定,在本次可转债持有人转股当
日后的五个交易日内以现金兑付该部分可转债的票面余额以及对应的当期应计利息。
(1)到期赎回条款
在本次发行的可转换公司债券期满后五个交易日内,公司将按债券面值的 110.00%
(含最后一期利息)的价格赎回未转股的可转换公司债券。
(2)有条件赎回条款
在本次发行的可转债转股期间内,当下述两种情形的任意一种出现时,公司有权决
定按照债券面值加当期应计利息的价格赎回全部或部分未转股的可转债:
盘价格不低于当期转股价格的 130%(含 130%);若在上述交易日内发生过转股价格
调整的情形,则在调整前的交易日按调整前的转股价格和收盘价格计算,在调整后的交
易日按调整后的转股价格和收盘价格计算;
面值加当期应计利息的价格赎回全部或部分未转股的可转换公司债券。
当期应计利息的计算公式为:
IA=B×i×t/365
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IA:指当期应计利息;
B:指本次发行的可转换公司债券持有人持有的可转换公司债券票面总金额;
i:指可转换公司债券当年票面利率;
t:指计息天数,即从上一个付息日起至本计息年度赎回日止的实际日历天数(算
头不算尾)。
(1)有条件回售条款
本次发行的可转换公司债券最后两个计息年度,如果公司股票在任何连续三十个交
易日的收盘价低于当期转股价格的 70%时,可转换公司债券持有人有权将其持有的可转
换公司债券全部或部分按债券面值加上当期应计利息的价格回售给公司。
若在上述交易日内发生过转股价格因发生派送股票股利、转增股本、增发新股(不
包括因本次发行的可转债转股而增加的股本)、配股以及派发现金股利等情况而调整的
情形,则在转股价格调整日前的交易日按调整前的转股价格和收盘价格计算,在转股价
格调整日及之后的交易日按调整后的转股价格和收盘价格计算。如果出现转股价格向下
修正的情况,则上述“连续三十个交易日”须从转股价格修正之后的第一个交易日起按
修正后的转股价格重新计算。本次发行的可转债最后两个计息年度,可转债持有人在每
年回售条件首次满足后可按上述约定条件行使回售权一次,若在首次满足回售条件而可
转债持有人未在公司届时公告的回售申报期内申报并实施回售的,该计息年度不能再行
使回售权。可转债持有人不能多次行使部分回售权。
(2)附加回售条款
若公司本次发行的可转债募集资金投资项目的实施情况与公司在募集说明书中的
承诺情况相比出现重大变化,且该变化被中国证监会或上海证券交易所认定为改变募集
资金用途的,可转债持有人享有一次以面值加上当期应计利息的价格向公司回售其持有
的全部或部分可转债的权利(当期应计利息的计算方式参见第十一条赎回条款的相关内
容)。可转债持有人在附加回售条件满足后,可以在公司公告的附加回售申报期内进行
回售,该次附加回售申报期内不实施回售的,自动丧失该附加回售权。
因本次可转债转股而增加的公司股票享有与原股票同等的权益,在股利分配股权登
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记日当日登记在册的所有股东(含因本次可转债转股形成的股东)均享受当期股利。
本次可转债的具体发行方式由股东大会授权董事会(或由董事会授权人士)与保荐
机构(主承销商)根据法律、法规的相关规定协商确定。本次可转债的发行对象为持有
中国证券登记结算有限责任公司上海分公司证券账户的自然人、法人、证券投资基金、
符合法律规定的其他投资者等(国家法律、法规禁止者除外)。
(1)发行对象
在股权登记日(2025 年 8 月 5 日,T-1 日)收市后登记在册的发行人所有股东。
(2)优先配售数量
原股东可优先配售的微导转债数量为其在股权登记日(2025 年 8 月 5 日,T-1 日)
收市后持有的中国结算上海分公司登记在册的发行人股份数量按每股配售 2.557 元面值
可转债的比例计算可配售可转债金额,再按 1,000 元/手的比例转换为手数,每 1 手(10
张)为一个申购单位,即每股配售 0.002557 手可转债。实际配售比例将根据可配售数
量、可参与配售的股本基数确定。若至本次发行可转债股权登记日(T-1 日)公司可参
与配售的股本数量发生变化导致优先配售比例发生变化,发行人和主承销商将于申购日
(T 日)前(含)披露原股东优先配售比例调整公告。
原股东应按照该公告披露的实际配售比例确定可转债的可配售数量。原股东网上优
先配售不足 1 手部分按照精确算法取整,即先按照配售比例和每个账户股数计算出可认
购数量的整数部分,对于计算出不足 1 手的部分(尾数保留三位小数),将所有账户按
照尾数从大到小的顺序进位(尾数相同则随机排序),直至每个账户获得的可认购转债
加总与原股东可配售总量一致。
发行人现有总股本 461,157,283 股,剔除公司回购专户库存股 3,705,500 股后,可参
与原股东优先配售的股本总额为 457,451,783 股。按本次发行优先配售比例计算,原股
东可优先配售的可转债上限总额为 1,170,000 手。
(3)原股东的优先认购方法
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股权登记日:2025 年 8 月 5 日(T-1 日)。
原股东优先配售认购及缴款日:2025 年 8 月 6 日(T 日)在上交所交易系统的正
常交易时间,即 9:30-11:30,13:00-15:00 进行,逾期视为自动放弃优先配售权。如遇重
大突发事件影响本次发行,则顺延至下一交易日继续进行。
所有原股东的优先认购均通过上交所交易系统进行,认购时间为 2025 年 8 月 6 日
(T 日)9:30-11:30,13:00-15:00。配售代码为“726147”,配售简称为“微导配债”。
每个账户最小认购单位为 1 手(10 张,1,000 元),超出 1 手必须是 1 手的整数倍。
若原股东的有效申购数量小于或等于其可优先认购总额,则可按其实际有效申购量
获配微导转债,请投资者仔细查看证券账户内“微导配债”的可配余额。若原股东的有
效申购数量超出其可优先认购总额,则该笔认购无效。
原股东持有的“微导纳米”股票如托管在两个或者两个以上的证券营业部,则以托
管在各营业部的股票分别计算可认购的手数,且必须依照上交所相关业务规则在对应证
券营业部进行配售认购。
①投资者应于股权登记日收市后核对其证券账户内“微导配债”的可配余额。
②原股东参与网上优先配售的部分,应当在 T 日申购时缴付足额资金。投资者应
根据自己的认购量于认购前存入足额的认购资金,不足部分视为放弃认购。
③投资者当面委托时,填写好认购委托单的各项内容,持本人身份证或法人营业执
照、证券账户卡和资金账户卡(确认资金存款额必须大于或等于认购所需的款项)到认
购者开户的与上交所联网的证券交易网点,办理委托手续。柜台经办人员查验投资者交
付的各项凭证,复核无误后即可接受委托。
④投资者通过电话委托或其它自动委托方式委托的,应按各证券交易网点规定办理
委托手续。
⑤投资者的委托一经接受,不得撤单。
获配微导转债;若原股东的有效申购数量超出其可优先认购总额,则该笔认购无效。
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先配售的部分,应当在 T 日申购时缴付足额资金。原股东参与优先配售后余额部分的
网上申购时无需缴付申购资金。
(1)债券持有人的权利
可转债;
使表决权;
(2)债券持有人的义务
转债的本金和利息;
(3)债券持有人会议的召开
在本次可转债存续期间内及期满赎回期限内,当出现以下情形之一时,应当召集债
券持有人会议:
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所必需回购股份导致的减资除外)、合并、分立、解散或者申请破产;
出决议;
份有限公司可转换公司债券持有人会议规则》的规定,应当由债券持有人会议审议并决
定的其他事项。
(4)下列机构或人士可以提议召开债券持有人会议:
公司将在《募集说明书》中约定保护债券持有人权利的办法,以及债券持有人会议
的权利、程序和决议生效条件。
本次向不特定对象发行可转债拟募集资金总额不超过人民币 117,000.00 万元(含
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单位:万元
序号 项目名称 项目投资总额 拟投入募集资金金额
合计 140,000.00 117,000.00
在本次募集资金到位前,公司将根据募集资金投资项目实施进度的实际情况通过自
筹资金先行投入,并在募集资金到位后按照相关法规规定的程序予以置换。如果本次发
行募集资金扣除发行费用后少于上述项目募集资金拟投入的金额,募集资金不足部分由
公司以自筹资金解决。在不改变本次募集资金投资项目的前提下,公司董事会可根据项
目的实际需求,对上述项目的募集资金投入顺序和金额进行适当调整。
上海新世纪对本次发行的可转债进行了评级,根据上海新世纪出具的信用评级报告,
主体信用等级为“AA”,本次可转债信用等级为“AA”,评级展望为稳定。
在本次发行的可转债存续期间,上海新世纪将每年至少进行一次跟踪评级,并出具
跟踪评级报告。
本次发行的可转债不提供担保。
公司已制定《募集资金管理制度》。本次发行的募集资金将存放于公司董事会指定
的募集资金专项账户中,具体开户事宜在发行前由公司董事会(或由董事会授权人士)
确定。
公司本次发行已依法获得公司于 2024 年 6 月 14 日召开的 2024 年第二次临时股东
大会的批准,有效期为自股东大会审议通过之日起十二个月。
为确保发行人本次发行后续工作持续、有效、顺利进行,公司于 2025 年 4 月 28
日召开了第二届董事会第二十二次会议,审议通过了《关于延长公司申请向不特定对象
发行可转换公司债券发行方案有效期的议案》《关于延长股东大会授权董事会全权办理
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本次向不特定对象发行可转换公司债券具体事宜有效期的议案》《关于召开公司 2024
年年度股东大会的通知的议案》,审议通过延长本次发行方案有效期及相关授权有效期
至前次决议有效期届满之日起十二个月,即延长至 2026 年 6 月 14 日,同时提请召开公
司 2024 年年度股东大会审议本次发行方案及股东大会授权有效期期限延长的相关议案。
特定对象发行可转换公司债券股东大会决议有效期的议案》和《关于提请股东大会延长
授权董事会办理本次向不特定对象发行可转换公司债券具体事宜有效期的议案》,同意
将本次发行方案的决议有效期和股东大会授权董事会办理本次发行事宜的授权有效期
自届满之日起延长 12 个月,即有效期延长至 2026 年 6 月 14 日。
(二)违约责任及争议解决机制
(1)在本期可转债到期时,公司未能偿付到期应付本金和/或利息;
(2)公司不履行或违反受托管理协议项下的任何承诺或义务(第(1)项所述违约
情形除外)且将对公司履行本期可转债的还本付息产生重大不利影响,在经可转债受托
管理人书面通知,或经单独或合并持有本期可转债未偿还面值总额 10%以上的可转债持
有人书面通知,该违约在上述通知所要求的合理期限内仍未予纠正;
(3)公司在其资产、财产或股份上设定担保以致对公司就本期可转债的还本付息
能力产生实质不利影响,或出售其重大资产等情形以致对公司就本期可转债的还本付息
能力产生重大实质性不利影响;
(4)在本期可转债存续期间内,公司发生解散、注销、吊销、停业、清算、丧失
清偿能力、被法院指定接管人或已开始相关的法律程序;
(5)任何适用的现行或将来的法律、规则、规章、判决,或政府、监管、立法或
司法机构或权力部门的指令、法令或命令,或上述规定的解释的变更导致公司在受托管
理协议或本期可转债项下义务的履行变得不合法;
(6)在本期可转债存续期间,公司发生其他对本期可转债的按期兑付产生重大不
利影响的情形。
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上述违约事件发生时,公司应当承担相应的违约责任,包括但不限于按照募集说明
书的约定向可转债持有人及时、足额支付本金及/或利息以及迟延支付本金及/或利息产
生的罚息、违约金等,并就可转债受托管理人因公司违约事件承担相关责任造成的损失
予以赔偿。
本期可转债发行适用于中国法律并依其解释。本期可转债发行和存续期间所产生的
争议,首先应在争议各方之间协商解决;协商不成的,应在公司住所所在地有管辖权的
人民法院通过诉讼解决。
当产生任何争议及任何争议正按前条约定进行解决时,除争议事项外,各方有权继
续行使本期可转债发行及存续期的其他权利,并应履行其他义务。
(三)发行方式与发行对象
本次发行的可转债向发行人在股权登记日(2025 年 8 月 5 日,T-1 日)收市后中国
结算上海分公司登记在册的原股东优先配售,原股东优先配售后余额(含原股东放弃优
先配售部分)通过上交所交易系统网上向社会公众投资者发行,余额由保荐人(主承销
商)包销。
本次债券的发行对象如下:
(1)向发行人原股东优先配售:发行公告公布的股权登记日(即 2025 年 8 月 5
日,T-1 日)收市后登记在册的发行人所有股东。
(2)网上发行:持有中国结算上海分公司证券账户的自然人、法人、证券投资基
金以及符合法律法规规定的其他投资者等(国家法律、法规禁止者除外)。参与可转债
申购的投资者应当符合《关于可转换公司债券适当性管理相关事项的通知(2025 年 3
月修订)》(上证发〔2025〕42 号)的相关要求。
(3)本次发行的保荐人(主承销商)的自营账户不得参与网上申购。
(四)承销方式及承销期
本次发行的可转换公司债券由保荐机构(主承销商)中信证券股份有限公司以余额
包销方式承销。
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本次可转换公司债券的承销期为 2025 年 8 月 4 日至 2025 年 8 月 12 日。
(五)发行费用
单位:万元
项目 金额
承销及保荐费用 772.64
会计师费用 156.60
律师费用 66.00
资信评级费用 37.74
信息披露及发行手续等费用 74.86
合计 1,107.84
注:①以上金额均为不含税金额;
②各项费用根据发行结果可能会有调整;
③若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况,均为四舍五入原因造成。
(六)承销期间的停牌、复牌及证券上市的时间安排
本次发行期间的主要日程与停、复牌安排如下(如遇不可抗力则顺延):
日期 交易日 发行安排 停牌安排
披露募集说明书及其摘要、《发行公告》《网上
路演公告》
认购款(投资者确保资金账户在 T+2 日日终有足
额的可转债认购资金)
保荐人(主承销商)根据网上资金到账情况确定
最终配售结果和包销金额
注:以上日期均为交易日。如相关监管部门要求对上述日程安排进行调整或遇重大突发事件影响发行,公司将与主
承销商协商后修改发行日程并及时公告。
(七)本次发行证券的上市流通
本次发行的证券无持有期限制。发行结束后,公司将尽快向上海证券交易所申请上
市交易,具体上市时间将另行公告。
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(八)本次发行符合理性融资,合理确定融资规模
公司前次募集为首次公开发行并在科创板上市。根据中国证券监督管理委员会于
注册的批复》(证监许可〔2022〕2750 号),公司首次公开发行人民币普通股(A 股)
资金净额为人民币 1,023,471,358.18 元。截至 2024 年 12 月 31 日,公司前次募集资金已
使用 90.26%(含超募资金),募集资金投向未发生变更且按计划投入。
本次向不特定对象发行可转债拟募集资金总额不超过人民币 117,000.00 万元(含
建设项目”、“研发实验室扩建项目”和“补充流动资金”。本次发行募集资金的运用
符合国家相关的产业政策以及公司整体战略发展方向,具有良好的市场发展前景和经济
效益,有利于提升公司综合实力,对公司战略的实现具有积极意义。项目完成后,将显
著增强公司在薄膜沉积设备制造领域的综合竞争实力,提高公司持续盈利能力,巩固提
升行业地位。本次发行募集资金的运用合理、可行,符合公司及全体股东的利益。
综上,公司本次发行聚焦主业,理性融资,融资规模合理。
四、本次发行的有关机构
(一)发行人
名称:江苏微导纳米科技股份有限公司
法定代表人:王磊
住所:无锡市新吴区长江南路 27 号
联系人:龙文
联系电话:0510-81975986
传真:0510-81163648
(二)保荐人和承销机构
名称:中信证券股份有限公司
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法定代表人:张佑君
住所:广东省深圳市福田区中心三路 8 号卓越时代广场(二期)北座
保荐代表人:于军杰、代亚西
项目协办人:周欢
经办人员:艾华、苗涛、周勃、范艺荣、田浩楠、王娴、张湜、赵谐圆
联系电话:021-20262000
传真:021-20262004
(三)律师事务所
名称:北京德恒律师事务所
负责人:王丽
住所:北京市西城区金融街 19 号富凯大厦 B 座 12 层
经办律师:张露文、刘璐、王金波
联系电话:021-55989888
传真:021-55989898
(四)会计师事务所
名称:中兴华会计师事务所(特殊普通合伙)
负责人:李尊农
住所:北京市丰台区丽泽路 20 号院 1 号楼南楼 20 层
签字注册会计师:曾全、陶昕
联系电话:010-51423818
传真:010-51423818
(五)申请上市的证券交易所
名称:上海证券交易所
住所:上海市浦东南路 528 号证券大厦
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联系电话:021-68808888
传真:021-68804868
(六)收款银行
户名:中信证券股份有限公司
账号:7116810187000000121
开户行:中信银行北京瑞城中心支行
(七)资信评级机构
名称:上海新世纪资信评估投资服务有限公司
法定代表人:朱荣恩
住所:上海市汉口路 398 号华盛大厦 14F
经办评级人员:杨蕊彤、张智慧
联系电话:021-63500711
传真:021-63610539
(八)登记结算机构
名称:中国证券登记结算有限责任公司上海分公司
住所:上海市浦东新区杨高南路 188 号
联系电话:021-58708888
传真:021-58899400
五、发行人与本次发行有关人员之间的关系
截至 2024 年 12 月 31 日,保荐机构、主承销商和受托管理人中信证券自营业务股
票账户持有发行人 147,687 股,信用融券专户持有发行人 7,300 股,做市账户持有发行
人 334 股,中信证券全资子公司合计持有发行人 1,955,608 股,中信证券控股子公司华
夏基金管理有限公司持有发行人 1,524,140 股,合计占发行人总股本的 0.79%。中信证
券已建立并执行严格的信息隔离墙制度,上述情形不会影响中信证券公正履行保荐及承
销责任。
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除上述情形外,发行人与本次发行有关的中介机构及其负责人、高级管理人员、经
办人员之间不存在其他直接或间接的股权关系或其他利益关系。
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第三节 风险因素
一、与发行人相关的风险
(一)技术风险
随着薄膜沉积技术和下游应用领域的不断发展,尤其是全球半导体行业蓬勃发展推
动半导体行业技术日新月异,下游客户对薄膜沉积设备兼容的材料类型、电性能、机械
性能、薄膜均匀度等需求也随之不断变化。公司需要不断紧跟行业技术发展趋势、持续
保持较大的研发投入,及时研发可满足行业技术要求的产品。
如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求,或者技术创新产
品不能契合客户需求,如无法适应下游芯片制造工艺节点继续缩小或芯片制造新技术出
现、无法响应新型高效电池需求等,可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要,
从而可能对公司的经营业绩造成不利影响。
公司持续加大 ALD 等核心技术在半导体集成电路、新型高效电池、先进封装等诸
多领域应用推广的投入力度,若公司不能提供更好的发展空间、更具市场竞争力的薪酬
待遇以及更适合的研发条件,将无法持续吸引相关领域的顶尖人才加盟,公司将面临技
术人才不足的风险。在行业高速发展、市场竞争日趋激烈的大背景下,甚至有可能发生
现有核心技术人员流失的情形,对公司的产品研发与盈利能力产生不利影响。
公司以自主研发与核心技术作为发展的源动力,如果未来关键技术人员流失或其他
原因导致在生产经营过程中核心技术及相关数据、图纸、技术信息和经营信息等保密信
息泄露进而导致核心技术泄露,将会在一定程度上影响公司的市场竞争力,对公司的生
产经营和发展产生不利影响。
(二)经营风险
公司薄膜沉积设备主要应用于光伏电池片、半导体晶圆的生产环节,直接影响光伏
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电池片的光电转换效率以及半导体器件性能,是下游客户产线的关键工艺设备。因此,
客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长,公司用于新型高效电池和半导体各
细分领域的新产品存在验证进度不及预期的风险。
报告期内,公司对前五名客户的销售金额合计分别为 45,716.13 万元、130,355.52
万元和 136,892.48 万元,占公司主营业务收入的比例分别为 66.85%、77.67%和 50.78%。
如果未来公司无法进一步开拓新的客户及新的业务领域,或部分客户经营情况不利,或
由于选择其他技术路线,从而降低对公司产品的采购,将会影响公司的财务业绩。
报告期内,公司部分核心元器件系进口采购,而近年来全球经济发展和世界政经格
局面临重大变革,同时叠加全球产业链和供应链调整及贸易保护主义,如果由于上述因
素可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应,或者由
于国产元器件无法达到境外相关产品的质量和技术标准,进而影响公司产品生产能力、
生产进度和交货时间,则存在对公司的经营产生不利影响的风险。
客户采购存在非均匀、非连续等特征,这导致公司各季度间的订单签订金额存在较
大波动。此外,受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素影响,公
司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异,从而使得公司各季度的
营业收入波动较大。而与此同时,公司的期间费用支出有较强刚性。由此导致了公司各
季度经营业绩存在波动,甚至可能出现单个季度亏损的风险。
报告期内,公司研发投入分别为 13,839.54 万元、30,814.00 万元和 41,909.38 万元,
随着公司在光伏、半导体及其他领域持续投入,公司研发人员以及研发项目投入增加,
导致研发投入呈持续上升趋势。若研发投入持续增加,但研发投入未能有效实现成果转
化,将对公司的经营业绩产生不利影响。
公司业务涉及半导体集成电路、光伏等多个领域,大部分在手订单存在一定执行周
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期,受客户自身规划、市场行情变化等外部因素影响。目前国内光伏行业产业链价格非
理性下跌,行业亏损趋势加剧,新产能扩产进程放缓,不排除部分光伏业务相关订单因
市场波动和下游需求等原因被取消的可能性。公司设备类产品在手订单较多,若在公司
订单执行过程中,受到国内行业行情加剧下行、客户需求发生变化等不可预计或不可抗
力等因素的影响,有可能会导致部分订单无法履行或终止的风险。
公司产品所涉及的技术工艺较为复杂,产品性能指标与原材料对工艺的匹配程度息
息相关,若选择的原材料不能匹配特定工艺,将会对产品的质量产生不利影响;同时,
下游客户对产品的定制化程度较高,创新设计内容较多,对设备质量有着严苛的要求,
公司不能排除因某种不确定或不可控因素导致产品出现质量问题,从而给公司带来法律、
声誉及经济方面的风险。
(三)财务风险
报告期内,公司的营业收入分别为 68,451.19 万元、167,972.13 万元和 269,990.04
万元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为 1,980.63 万元、
公司在光伏新型高效电池和半导体各细分领域的产品、技术方面存在持续加强投入
的需求,相关投入会对公司经营业绩造成影响。如果未来由于新产品开发持续投入但未
能及时实现产业转化,或出现市场竞争加剧、下游客户投资需求变化,以及在手订单由
于生产、验收周期等因素影响未能及时转化为收入等情形,可能使公司面临一定的经营
压力,从而导致公司未来业绩存在大幅波动甚至出现亏损的风险。
除上述因素外,公司经营面临原材料价格上涨、主要产品价格下降、毛利率下滑、
存货跌价、应收账款减值、宏观经济形势变化等各项风险因素,若各项因素中的某一项
因素发生重大不利变化或者多项因素同时发生,公司将有可能出现本次可转债发行当年
净利润大幅下滑甚至亏损的风险。
报告期各期末,公司资产负债率分别为 48.62%、69.08%和 68.58%,2023 年末和
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预收类款项较高,在业务规模快速攀升的背景下,公司应付票据、应付账款及合同负债
等经营性流动负债相应增长,推动报告期内资产负债率水平持续提升;同时公司通过短
期借款等方式补充因业务发展和研发投入产生的流动性资金需求,亦拉高了公司资产负
债率水平。合理的资产负债结构对于公司的经营发展至关重要,虽然本次发行完成转股
后公司资产负债率将有所下降,但如果公司未来的资产负债率水平因业务发展和研发投
入持续增长而不能保持在合理的范围内,则可能对公司的稳健经营产生不利的影响。
报告期各期末,公司存货账面余额分别为 101,044.36 万元、330,410.73 万元和
货的主要组成部分。
公司存货账面余额较高,主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司
已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备,但仍不能排除市场
环境发生变化,或其他难以预计的原因,导致存货无法顺利实现销售,或者存货价格出
现大幅下跌的情况,使得公司面临存货跌价风险。
报告期内,随着公司业务规模及营业收入的快速增长,应收账款和合同资产也大幅
增加。报告期各期末,公司应收账款和合同资产账面价值分别为 33,676.58 万元、
随着公司业务规模的扩大,公司的客户数量逐步增加,应收账款和合同资产的金额
及占比可能会进一步增加。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶化等因素导致
应收账款和合同资产不能按期回收,并导致需要计提较大金额的坏账准备或无法回收发
生坏账的情况,将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。
报告期各期末,公司开发支出账面价值分别为 0.00 万元、13,098.69 万元和 20,250.45
万元,主要系公司研发支出资本化形成。若未来产业政策调整、市场环境变化、技术更
新换代等因素致使开发支出发生减值,将对公司盈利状况造成不利影响。
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报告期内,公司净利润分别为 5,415.05 万元、27,039.19 万元和 22,670.82 万元,公
司经营活动产生的现金流量净额分别为 16,849.69 万元、9,333.01 万元和-99,989.87 万元。
公司经营活动现金流量净额与净利润存在偏离,主要由于订单增长以及发出商品验收周
期较长,从而导致存货规模增加,且预收款项不足以完全覆盖公司为订单生产所支付的
全部成本和费用。从短期看,公司流动性风险较小,但从中长期看,若经营性现金流持
续不佳,可能对公司业务发展造成较大不利影响。
报告期内,公司主营业务毛利率分别为 40.98%、42.31%和 39.95%。公司主营业务
毛利率变动主要受产品销售价格、原材料采购价格、市场竞争程度、技术更新换代及政
策变动等因素的影响。同时,随着公司产品种类增加,不同产品的售价及成本存在一定
差异,不同产品销售收入占比的结构性变化也会对公司主营业务毛利率产生较大影响。
若未来上述影响因素发生重大不利变化,公司毛利率将会面临下降的风险,从而对公司
盈利能力造成不利影响。
公司重大合同对应客户浙江国康新能源科技有限公司于 2024 年 12 月被债权人申请
破产清算并已被法院裁定受理,公司曾于 2023 年 6 月与其签署金额约 4.41 亿元(含税)
的 TOPCon 电池设备销售合同,截至 2024 年末,公司与该合同相关的存货余额合计
在积极推进在产品二次销售等事项,但若相关事项未能顺利推进,则可能对公司经营业
绩构成不利影响。在光伏行业周期性调整的背景下,除浙江国康新能源科技有限公司
外,公司部分光伏客户亦出现了包括被限制高消费、被列入被执行人、股权冻结等信
用风险迹象,有可能会导致相关订单无法履行或终止的风险,进而对公司经营构成不
利影响。
若公司报告期内未进行研发费用资本化处理,则公司 2023 年与 2024 年的研发费用
将有所提升,归母净利润预计将相应下降 13,098.69 万元、15,198.44 万元。如未来公司
在市场环境、技术方向、经营战略等方面发生不利变化,导致资本化研发项目研发失败、
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终止或无法持续满足资本化条件,则公司可能需要对已资本化的研发投入计提减值准备
或进行费用化处理,从而对公司盈利状况造成不利影响。
(四)内控及管理风险
截至 2024 年 12 月 31 日,王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族通过万海盈投资、聚
海盈管理、德厚盈投资间接控制公司 60.18%股份,王燕清、倪亚兰、王磊系公司的实
际控制人。公司股权的集中度较高,如果实际控制人利用其持股优势对公司发展战略、
经营决策、人事安排、利润分配和对外投资等重大事项进行非正常干预或控制,则可能
存在损害公司及公司中小股东利益的风险。
随着本次募集资金的运用和公司经营规模的增长,公司的生产规模、产品结构和涉
及的市场领域都将发生变化,公司的管理水平在机制建立、战略规划、组织设计、运营
管理、资金管理和内部控制等方面面临一定挑战。如果后续公司的管理水平无法匹配或
适应公司的发展速度及规模,可能会对公司的经营产生不利影响。
(五)政策及法律风险
公司为高新技术企业,报告期内执行 15%的企业所得税税率。另外,根据国务院《关
于印发进一步鼓励软件企业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发[2011]4 号)
和财政部、国家税务总局《关于软件产品增值税政策的通知》(财税[2011]100 号)的
规定,公司销售设备所匹配的嵌入式软件产品享受增值税即征即退的优惠政策。
根据《中华人民共和国企业所得税法》及其实施条例,财政部、国家税务总局和科
学技术部印发的《关于完善研究开发费用税前加计扣除政策的通知》(财税[2015]119
号)、《关于提高研究开发费用税前加计扣除比例的通知》(财税[2018]99 号),财政
部和国家税务总局印发的《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》(财税
[2021]13 号)等规定,公司在报告期享受研究开发费用加计扣除 100%的所得税优惠。
如果相关税收优惠政策取消、优惠力度下降,或者公司不再满足享受前述税收优惠
的条件,将对公司的经营业绩产生不利影响。
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公司薄膜沉积专用设备目前主要应用于光伏及半导体集成电路领域。半导体集成电
路专用设备行业是典型的技术密集型行业,为了保持技术优势和竞争力,防止技术外泄
风险,已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利、实施商业秘密保护等方
式设置较高的进入壁垒。未来随着公司业务的发展,一方面存在竞争对手主张公司侵犯
其知识产权权利或申请公司专利无效的情形,另一方面也存在公司的知识产权被侵权的
可能。上述原因均可能导致公司产生知识产权纠纷,对公司的正常经营活动产生不利影
响。
二、与行业相关的风险
(一)下游行业波动的风险
公司主营业务为先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售,向下游客
户提供尖端薄膜沉积设备、配套产品及服务,主要应用于半导体领域、光伏领域及其他
新兴领域,公司的经营状况与下游行业的发展密切相关。在半导体领域,如果由于国际
政治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等,导致半导
体行业固定资产投资及对设备需求的下降,将会影响公司经营业绩;在光伏领域,未来
如果光伏行业政策变化等因素导致行业景气度下降或者产能严重过剩,进而影响下游企
业对公司产品的需求,也可能对公司的经营业绩产生不利影响。
(二)国内市场竞争加剧的风险
近年来,ALD、CVD 技术因其良好的市场空间和丰富的应用场景受到关注,在巨
大发展潜力的吸引下,国内竞争者开始出现,市场竞争趋于激烈。未来随着国内竞争企
业的增加,可能压缩公司的利润空间,并导致公司市场份额下滑,进而对公司生产经营
产生不利影响。
三、其他风险
(一)募集资金投资项目相关风险
发行人本次募集资金投资的建设项目包括半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项
目、研发实验室扩建项目,是在发行人现有业务的基础上依据业务发展规划所制定的。
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虽然公司根据行业发展现状和趋势对本次募投项目可行性进行了深入研究和充分论证,
并在技术、人员、市场等方面作了较为充分的准备,但若出现募集资金不能及时到位、
项目延期实施、市场或产业环境出现重大变化等情况,可能导致项目实施过程中的某一
环节出现延误或停滞,公司募投项目存在不能全部按期建设完成的风险。
公司本次募投项目中,半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目的产品与公司现有
半导体设备产品虽然均属于应用于半导体领域的薄膜沉积设备,但在产品设计、材料类
型、性能指标等方面将在公司现有产品基础上持续迭代升级。因此,若未来该项目建设
完成后相关产品验证进度不及预期,导致下游客户的采购需求不及预期,可能存在募投
项目短期内无法盈利的风险,进而对公司整体经营业绩产生不利影响。
半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒,由于传统的国际大型厂商成立较早,有
先发优势,而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点,后
发厂商的客户认证壁垒较高。多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由 AMAT、
LAM、TEL、ASM 等传统设备厂商占有主要市场份额。当前,国内晶圆厂商对半导体
工艺设备的国产化需求强烈,本土半导体设备的导入和验证加速,薄膜沉积设备作为半
导体制造的核心设备,迎来巨大的发展机遇。
报告期内,公司半导体设备产销率分别为 20.00%、16.67%和 43.75%,本次募投项
目自建设期第 3 年实现产出,预计第 3 年至第 5 年产销率分别为 75.00%、91.43%、
模式及公司生产经营活动中产销率的历史数据,结合产品验收周期并辅以谨慎的产能释
放节奏进行合理预测。但考虑到境外传统设备厂商的市场地位、中国境内同行业公司之
间竞争日趋激烈,本次募投项目的产品在市场竞争中达到预期的产销率存在一定不确定
性,从而使得公司本次募投项目存在一定的产能消化风险。
公司本次募集资金投资项目中包含规模较大的资本性支出。项目建成并投产后,公
司固定资产及无形资产规模将有所增长。本次募投项目的实施会导致公司未来整体折旧
和摊销金额增加,虽然公司已对本次募集资金投资项目进行了较为充分的市场调查及可
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行性论证,预计项目实现的利润规模以及公司未来盈利能力的增长能够消化本次募投项
目新增折旧和摊销。但鉴于未来行业发展趋势、下游客户需求以及市场竞争情况等存在
不确定性,在本次募投项目对公司经营整体促进作用体现之前,公司存在因折旧或摊销
增加而导致利润下降的风险。
报告期内,半导体领域设备毛利率分别为 32.31%、22.24%以及 27.68%,公司根据
实际经营的历史数据以及公司所处发展阶段、可比公司毛利率水平对本次募集资金投资
项目半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目进行了效益测算,待项目建设完成并达产
后,预计可获得较好的经济效益,项目达产期平均毛利率 39.02%。本次募投项目效益
测算是基于项目如期建设完毕并按计划投产后实现销售,因此若项目建设进度不及预期、
产品价格或成本出现大幅波动或者未来行业技术发展趋势出现重大变化、半导体产品毛
利率未达预期,可能对本次募投项目的效益释放带来一定影响,募投项目可能面临短期
内不能实现预测收入和利润的风险。同时,由于下游客户实际采购需求和本次募投项目
的测算可能存在差距,如果本次募投项目的销售进展无法达到预期,可能导致本次募投
项目面临营业收入和利润总额等经营业绩指标下滑,投资回报率降低的风险。
(二)与本次可转债相关的风险
本次发行可转债的存续期内,公司需按可转债的发行条款就可转债未转股的部分每
年偿付利息及到期兑付本金。除此之外,在可转债触发回售条件时,公司还需承兑投资
者可能提出的回售要求。受国家政策、法规、行业和市场等多种不可控因素的影响,公
司的经营活动如未达到预期的回报,将可能使公司不能从预期的还款来源获得足够的资
金,进而影响公司对可转债本息的按时足额兑付,以及对投资者回售要求的承兑能力。
本次可转债在转股期限内是否转股取决于转股价格、公司股票价格、投资者偏好及
其对公司未来股价预期等因素。若本次可转债未能在转股期限内转股,公司则需对未转
股的本次可转债支付利息并兑付本金,从而增加公司的财务费用和资金压力。
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可转债作为一种具有债券特性且附有股票期权的混合型证券,其二级市场价格受市
场利率、票面利率、债券剩余期限、转股价格、转股价格向下修正条款、上市公司股票
价格走势、赎回条款、回售条款及投资者心理预期等诸多因素的影响,这需要可转债的
投资者具备一定的专业知识。本次发行的可转债在上市交易过程中,市场价格存在波动
风险,甚至可能会出现异常波动或与其投资价值背离的现象,从而可能使投资者不能获
得预期的投资收益。为此,公司提醒投资者必须充分认识到债券市场和股票市场中可能
遇到的风险,以便作出正确的投资决策。
本次发行的可转债募集资金投资项目将在可转债存续期内逐渐产生收益,可转债进
入转股期后,如果投资者在转股期内转股过快,将会在一定程度上摊薄公司的每股收益
和净资产收益率,因此公司在转股期内可能面临每股收益和净资产收益率被摊薄的风险。
上海新世纪对本次发行的可转债进行了评级,根据上海新世纪出具的信用评级报告,
公司主体信用等级为“AA”,本次可转债信用等级为“AA”,评级展望为稳定。上海
新世纪将持续关注公司经营环境的变化、经营或财务状况的重大事项等因素,并出具跟
踪评级报告。如果由于公司外部经营环境、自身或评级标准等因素变化,导致本次债券
的信用评级级别发生变化,将会增大投资者的风险,对投资人的利益产生一定影响。
公司本次发行可转债,按相关规定符合不设担保的条件,因而未提供担保措施。如
果可转债存续期间出现对公司经营管理和偿债能力有重大负面影响的事件,可转债可能
因未提供担保而增加兑付风险。
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第四节 发行人基本情况
一、公司发行前股本总额及前十名股东持股情况
截至 2024 年 12 月 31 日,公司总股本为 457,678,129 股,前十名股东持股情况如下:
单位:股
持有有限售条
序号 股东名称 股东性质 持股数量 占总股本比例
件的股份数量
合计 369,127,247 80.66% 360,000,000
二、公司科技创新水平及保持科技创新能力的机制或措施
(一)公司科技创新水平
公司是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以 ALD
技术为核心,CVD 等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,专注于先进微米级、纳
米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售,向下游客户提供尖端薄膜沉积设备、配套产品
及服务。
在半导体领域内,公司是国内首家成功将量产型 High-k 原子层沉积设备应用于集
成电路制造前道生产线的国产设备厂商,是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量
产线的硬掩膜化学气相沉积设备(CVD)国产厂商,也是行业内率先为新型存储提供
薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系,
相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示(硅基 OLED 等)、先进封装
等诸多细分应用领域,多项设备关键指标达到先进水平,能够满足国内客户当前技术的
需求。在光伏领域内,公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企
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业,已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一,与国内头部光伏厂商形成了
长期合作伙伴关系。同时,公司跟随下游厂商的量产节奏,持续优化 XBC、钙钛矿、
钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术,引领光伏行业技术迭代。
作为国家高新技术企业,公司先后荣获国家“专精特新”小巨人企业、国家知识产
权优势企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业(制造类)等称
号,并被认定为国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江
苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室、
江苏省博士后创新实践基地、江苏省研究生工作站,承担多项国家、省级重大科技专项。
公司自主研发的 iTomic HiK 系列 ALD 设备被认定为江苏省首台(套)重大装备以及第
十五届“中国半导体创新产品和技术奖”,iTomic MW 系列批量式 ALD 设备荣获中国
集成电路创新联盟第七届“IC 创新奖”。
(二)保持科技创新能力的机制或措施
公司成立了以事业部下设研发团队为主,由生产、质量及工程等部门共同组成的跨
部门研发体系。
研发团队核心成员会根据项目和部门分别以周和月为单位定期召开研发会议,对现
有研发项目的进度与安排进行探讨与调整,并且根据研发项目节点,不定期召开设计图
纸评审和方案评审会议。
为保证公司技术人员的稳定性,公司建立了一系列鼓励技术创新的内部管理机制。
公司针对核心技术与管理人员、资深研发人员实施了股权激励,旨在提升核心员工工作
的主动性,扎实推进技术攻关。公司制定了专利管理的相关政策,对专利受理、授权等
各个阶段的奖酬进行了明确约定,以鼓励发明创造,促进技术创新。另外,公司员工在
产品构造、产品品质等方面提出合理化建议的改善提案,公司也会给予相关人员激励,
进行即时性公示和通报,并纳入评优、先进员工、员工晋升的考核体系。
公司在先进薄膜沉积技术领域拥有丰富的技术储备,围绕先进半导体器件薄膜加工
技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控
制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于
原子层沉积的高效电池技术、柔性材料制备技术、薄膜封装技术、高效电池整线工艺技
术等核心技术形成了完整的技术布局。未来公司将持续投入研发力量,保持科技创新能
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力,不断提升产品的工艺水平和设备性能。
三、公司组织结构及对外投资情况
(一)公司组织结构图
截至 2024 年 12 月 31 日,发行人的组织结构图如下:
股东大会 战略委员会
监事会 审计委员会 审计部
董事会 薪酬与考核委员会
提名委员会
总经理 董事会秘书 证券部
总经办
产
半
光 业 生 厂 知 公 人
导 系 制 供 成
伏 化 产 质 务 信 识 共 事 财 法
体 统 造 应 本
事 应 计 量 及 息 产 关 行 务 务
事 工 中 链 中
业 用 划 部 EHS 部 权 系 政 部 部
业 程 心 部 心
部 中 部 部 部 部 部
部
心
(二)公司对其他企业的重要权益投资情况
截至本募集说明书签署日,公司无控股子公司,有 2 家参股公司,具体情况如下:
名称 芯链融创集成电路产业发展(北京)有限公司
住所 北京市北京经济技术开发区荣华中路 19 号院 1 号楼 B 座 3 层 312 室
企业类型 其他有限责任公司
注册资本 10,000 万元人民币
统一社会信用代码 91110302MA01UGUA8H
法定代表人 康劲
成立日期 2020 年 8 月 27 日
营业期限 2020 年 8 月 27 日至 2040 年 8 月 26 日
与集成电路、半导体技术有关的技术开发、技术服务、技术转让、技术
咨询、技术检测;产品设计;设备租赁(市场主体依法自主选择经营项
经营范围
目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的
内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的
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经营活动)
登记机关 北京经济技术开发区市场监督管理局
登记状态 存续(在营、开业、在册)
出资比例 4.00%
名称 广州中科共芯半导体技术合伙企业(有限合伙)
住所 广州市黄埔区开源大道 136 号 A 栋 509 室
财产总额 21,010 万元人民币
统一社会信用代码 91440112MAD6P31U23
执行事务合伙人 广州中科齐芯半导体科技有限责任公司(委派代表:李彬鸿)
成立日期 2023 年 12 月 12 日
营业期限 2023 年 12 月 12 日至长期
半导体分立器件销售;半导体分立器件制造;集成电路芯片设计及服务;
集成电路设计;集成电路芯片及产品销售;集成电路销售;集成电路芯
片及产品制造;集成电路制造;以自有资金从事投资活动;电子元器件
零售;电子元器件批发;电子元器件制造;电力电子元器件销售;电力
电子元器件制造;电子专用设备销售;互联网设备销售;信息系统运行
经营范围 维护服务;信息咨询服务(不含许可类信息咨询服务);信息技术咨询
服务;信息系统集成服务;电子产品销售;软件开发;区块链技术相关
软件和服务;软件销售;工业控制计算机及系统销售;计算机及通讯设
备租赁;计算机系统服务;计算机软硬件及辅助设备批发;工程和技术
研究和试验发展;专业设计服务;科技中介服务;技术服务、技术开发、
技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;国内贸易代理
登记机关 广州市黄埔区市场监督管理局
登记状态 存续(在营、开业、在册)
出资比例 23.80%
四、控股股东和实际控制人的基本情况及上市以来的变化情况
(一)控股股东的基本情况
截至 2024 年 12 月 31 日,万海盈投资持有公司 23,258.16 万股股份,占总股本的
企业名称 无锡万海盈投资合伙企业(有限合伙)
成立日期 2018 年 2 月 14 日
注册资本 13,190.9209 万元
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主要业务 实业投资、投资控股
注册地址 无锡市新吴区行创四路 7 号
截至本募集说明书签署日,万海盈投资的股权结构如下:
序号 股东姓名 在发行人任职情况 出资额(万元) 出资比例(%)
- 合计 - 13,190.92090 100.00
最近一年,万海盈投资的主要财务数据如下:
单位:万元
项目 2024 年 12 月 31 日
总资产 14,715.24
净资产 12,705.94
项目 2024 年度
营业收入 -
净利润 -5.51
注:以上财务数据未经审计。
(二)实际控制人的基本情况
截至 2024 年 12 月 31 日,王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族通过万海盈投资、聚
海盈管理、德厚盈投资间接控制公司 60.18%股份,王燕清、倪亚兰、王磊系公司的实
际控制人,同时王磊担任公司董事长、倪亚兰担任公司董事;王燕清、倪亚兰系夫妻关
系,王磊系王燕清、倪亚兰之子。
王燕清先生,1966 年 4 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,住所为江苏省无
锡市****,毕业于常州无线电工业学校模具设计与制造专业。其主要任职经历为:1986
年至 1999 年任无锡县无线电二厂设备助理工程师;2000 年创立无锡先导电容器设备厂
(后改名为“无锡煜玺科技有限公司”);2002 年设立无锡先导自动化设备有限公司
(后改名为“无锡先导智能装备股份有限公司”),任董事长、总经理;2011 年 12 月
至今任先导智能董事长、总经理。
倪亚兰女士,1970 年 11 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,初中学历,住所
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为海口市琼山区****。其主要任职经历为:2002 年至 2011 年 11 月,担任无锡先导自
动化设备有限公司总经理办公室助理;2011 年 5 月至 2016 年 1 月,担任无锡嘉鼎投资
有限公司(上海卓遨前身)总经理;2016 年 1 月至 2020 年 12 月,担任上海卓遨执行
事务合伙人;2012 年 2 月至今,担任欣导投资总经理;2015 年 12 月至 2019 年 12 月,
担任微导有限董事;2017 年 12 月至 2019 年 12 月,担任微导有限总经理;2019 年 12
月至今,担任公司董事。
王磊先生,1993 年 11 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,住所为江苏省无锡
市****,本科学历,毕业于新泽西州立大学计算机和数学专业。其主要任职经历为:2017
年 6 月至 2017 年 9 月就职于喜开理(中国)有限公司;2017 年 9 月至 2018 年 2 月就
职于江苏恒云太信息科技有限公司;2018 年 2 月至今任先导智能董事;2018 年 10 月至
(三)控股股东、实际控制人的一致行动人
截至 2024 年 12 月 31 日,聚海盈管理的执行事务合伙人为王磊,王磊持有聚海盈
管理 74.28%的财产份额;德厚盈投资的执行事务合伙人为王燕清,王燕清、王磊分别
持有德厚盈投资的 21.00%、79.00%的财产份额。聚海盈管理、德厚盈投资为公司控股
股东、实际控制人的一致行动人。
(四)发行人上市以来控股股东和实际控制人变动情况
发行人上市以来控股股东和实际控制人未发生过变化。
(五)控股股东和实际控制人的股权质押情况
报告期内,控股股东和实际控制人均不存在股份质押的情况。
(六)控股股东和实际控制人控制的其他企业情况
公司控股股东、实际控制人控制的其他企业请参见本募集说明书“第六节 合规经
营与独立性”之“五、关联方和关联交易情况”。
五、承诺事项履行情况
(一)报告期内公司及相关人员作出的重要承诺及履行情况
报告期内,公司及相关人员已作出的重要承诺及其履行情况参见公司于 2025 年 4
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月 26 日日在上海证券交易所网站(http://www.sse.com.cn)披露的《江苏微导纳米科技
股份有限公司 2024 年年度报告》之“第六节 重要事项”之“一、承诺事项履行情况”。
截至本募集说明书签署日,公司、控股股东及实际控制人、董事、监事、高级管理
人员、其他核心人员不存在未履行向投资者所做出的公开承诺的情形。
(二)本次发行相关的承诺事项
公司全体董事、高级管理人员就公司本次向不特定对象发行可转换公司债券填补即
期回报措施能够得到切实履行等相关事项作出以下承诺:
“1.本人承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益,也不采用其
他方式损害上市公司利益;
报措施的执行情况相挂钩;
件与上市公司填补即期回报措施的执行情况相挂钩;
若中国证券监督管理委员会等证券监管机构作出关于填补即期回报措施及其承诺的其
他新的监管规定的,且上述承诺相关内容不能满足中国证券监督管理委员会等证券监管
机构的该等规定时,本人承诺届时将按照证券监管机构的最新规定出具补充承诺。
作为填补即期回报措施相关责任主体之一,本人承诺切实履行上市公司制定的有关
填补即期回报措施以及承诺人对此作出的任何有关填补即期回报措施的承诺。若违反上
述承诺或拒不履行上述承诺,本人同意按照中国证券监督管理委员会和上海证券交易所
等证券监管机构按照其制定或发布的有关规定、规则,对本人采取相关管理措施或作出
相关处罚;若违反该等承诺并给上市公司或者投资者造成损失的,本人愿意依法承担对
上市公司或者投资者的补偿责任。”
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履行的承诺
公司控股股东、实际控制人及其一致行动人就公司本次向不特定对象发行可转换公
司债券填补即期回报措施能够得到切实履行等相关事项作出如下承诺:
“1.不越权干预上市公司经营管理活动,不侵占上市公司利益;
若中国证券监督管理委员会等证券监管机构作出关于填补即期回报措施及其承诺的其
他新的监管规定的,且上述承诺相关内容不能满足中国证券监督管理委员会等证券监管
机构的该等规定时,本人/本企业承诺届时将按照证券监管机构的最新规定出具补充承
诺;
的有关填补即期回报措施以及本人/本企业对此作出的任何有关填补即期回报措施的承
诺。若违反上述承诺或拒不履行上述承诺,本人/本企业同意按照中国证券监督管理委
员会和上海证券交易所等证券监管机构按照其制定或发布的有关规定、规则,对本人/
本企业采取相关管理措施或作出相关处罚;若违反该等承诺并给上市公司或者投资者造
成损失的,本人/本企业愿意依法承担对上市公司或者投资者的补偿责任。”
六、公司董事、监事、高级管理人员及其他核心人员
(一)董事、监事、高级管理人员及其他核心人员基本情况
公司董事会由 6 名董事组成,其中独立董事 2 名。现任董事基本情况如下表:
姓名 职务 性别 年龄 任期起始日期 任期终止日期
王磊 董事长 男 32 2022 年 12 月 2025 年 12 月
倪亚兰 董事 女 55 2022 年 12 月 2025 年 12 月
LI WEI MIN 董事、副董事长、CTO 男 58 2022 年 12 月 2025 年 12 月
LI XIANG 董事、副总经理、联席 CTO 男 44 2022 年 12 月 2025 年 12 月
朱佳俊 独立董事 男 49 2024 年 5 月 2025 年 12 月
马晓旻 独立董事 男 44 2024 年 5 月 2025 年 12 月
上述各位董事简历如下:
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王磊、倪亚兰的简历情况详见本募集说明书之“第四节 发行人基本情况”之“四、
控股股东和实际控制人的基本情况及上市以来的变化情况”之“(二)实际控制人的基
本情况”。
LI WEI MIN:男,中文名为“黎微明”,1967 年 12 月出生,芬兰国籍,博士研究
生学历,毕业于芬兰赫尔辛基大学无机化学专业。其主要任职经历为:2000 年 6 月至
Picosun,任应用总监;2015 年 12 月至 2016 年 1 月就职于先导智能,实际未担任职务;
有限 CTO;2019 年 12 月至今,任公司 CTO 并历任公司董事、副董事长。
LI XIANG:男,中文名为“李翔”,1981 年 4 月出生,新加坡国籍,博士研究生
学历,毕业于新加坡南洋理工大学电气与电子工程专业。其主要任职经历为:2010 年 1
月至 2012 年 6 月,就职于新加坡科学技术研究院微电子研究所,任研发科学家;2012
年 7 月至 2015 年 2 月,就职于 Picosun Asia Pte.Ltd.,任董事总经理;2015 年 3 月至 2015
年 10 月,就职于新加坡格罗方德半导体股份有限公司,任主任工程师;2015 年 12 月
至 2016 年 1 月,就职于先导智能,实际未履行职务;2015 年 12 月至 2019 年 12 月,
任微导有限董事;2016 年 2 月至 2019 年 12 月,任微导有限应用总监、ALD 事业部副
总经理、研发部副总经理、联席 CTO;2019 年 12 月至今,任公司董事、副总经理;2023
年 10 月至今,任公司联席 CTO。
朱佳俊:男,1976 年 8 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生学历,
毕业于东华大学智能决策与知识管理(财务管理方向)专业,审计师、统计师、经济师,
主要从事内部审计与风控、公司治理与财务、高管薪酬与激励等研究,曾承担多项江苏
省和无锡市科研课题。其主要任职经历为:2010 年 10 月至 2012 年 10 月曾在东华大学
从事博士后研究工作;2012 年 10 月至今就职于江南大学,历任教师、会计学专业副教
授、硕士研究生导师。兼职担任无锡英迪芯微电子科技股份有限公司独立董事、无锡市
市政公用产业集团有限公司董事;2024 年 5 月至今,任公司独立董事。
马晓旻:男,1981 年 11 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,获法学学士和工
商管理硕士学位,毕业于威尔士大学工商管理专业,律师,清算师。其主要任职经历为:
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
年 7 月就职于上海瑞银添惠律师事务所任专职律师;2010 年 8 月至今就职于上海市金
石律师事务所任合伙人;2024 年 5 月至今,任公司独立董事。
公司监事会由 3 名监事组成,其中职工代表监事 1 名。现任监事基本情况如下表:
姓名 职务 性别 年龄 任期起始日期 任期终止日期
潘景伟 监事会主席 男 42 2022 年 12 月 2025 年 12 月
樊利平 监事 男 54 2022 年 12 月 2025 年 12 月
姜倩倩 职工代表监事 女 30 2022 年 12 月 2025 年 12 月
上述各位监事简历如下:
潘景伟:男,1983 年 11 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
毕业于浙江大学材料科学与工程专业。其主要任职经历为:2009 年 6 月至 2011 年 11
月就职于常州天合光能有限公司,任工艺总主管;2011 年 11 月至 2015 年 10 月就职于
常州比太科技有限公司,任研发部副总工程师;2015 年 12 月至 2019 年 12 月,任微导
有限监事、技术总监兼质量部经理;2019 年 12 月至 2023 年 5 月,任公司技术总监;
樊利平:男,1971 年 12 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,
毕业于南京大学工商管理专业。其主要任职经历为:1993 年 8 月至 1995 年 3 月,就职
于江苏兴中会计师事务所,任审计助理;1995 年 4 月至 2000 年 12 月,就职于江苏长
江会计师事务所,历任审计助理、经理;2001 年 1 月至 2008 年 7 月,就职于江苏众天
信会计师事务所,任部门经理;2008 年 8 月至 2014 年 1 月,就职于江苏高科技投资集
团有限公司,历任高级投资经理、部门经理;2014 年 2 月至今,就职于江苏毅达股权
投资基金管理有限公司,任合伙人;2018 年 3 月至今,就职于江阴毅达高新创业投资
合伙企业(有限合伙),任执行事务合伙人委派代表;2019 年 12 月至今任公司监事。
姜倩倩:女,1995 年 6 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,毕业
于三亚学院人力资源管理专业。其主要任职经历为:2017 年 6 月至 2019 年 12 月,任
微导有限销售助理;2019 年 12 月至 2022 年 5 月,任公司销售助理;2022 年 6 月至今,
历任公司档案管理员、人事行政部行政主管;2019 年 12 月至今,任公司职工代表监事。
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
公司现任高级管理人员基本情况如下表:
姓名 职务 性别 年龄 任期起始日期 任期终止日期
ZHOU REN 总经理 男 62 2022 年 12 月 2025 年 12 月
胡彬 副总经理 男 42 2022 年 12 月 2025 年 12 月
LI WEI MIN 董事、副董事长、CTO 男 58 2022 年 12 月 2025 年 12 月
LI XIANG 董事、副总经理、联席 CTO 男 44 2022 年 12 月 2025 年 12 月
龙文 董事会秘书 男 37 2022 年 12 月 2025 年 12 月
俞潇莹 财务负责人 女 41 2022 年 12 月 2025 年 12 月
上述各位高级管理人员简历如下:
ZHOU REN:男,中文名为“周仁”。1963 年 1 月出生,美国国籍,硕士研究生
学历,毕业于美国丹佛大学计算机科学专业。其主要任职经历为:1989 年 7 月至 1994
年 4 月,担任美国 AG Associates 软件资深工程师;1994 年 5 月至 1996 年 4 月,担任
美国 Novellus System 软件主任工程师;1996 年 5 月至 1997 年 8 月,担任美国 CVC Inc
系统控制部经理;1997 年 9 月至 2006 年 5 月,担任美国 Lam 工程资深总监并历任资深
软件经理,软件总监;2006 年 6 月至 2010 年 8 月,担任中微半导体设备(上海)股份
有限公司执行总监并历任资深总监;2010 年 9 月至 2012 年 3 月,担任美国 KLA Tencor
工程资深总监;2012 年 4 月至 2014 年 8 月,光达光电设备科技(嘉兴)有限公司工程
副总经理;2014 年 9 月至 2020 年 7 月,历任拓荆科技工程副总经理、顾问;2020 年 8
月至 2021 年 6 月,历任公司半导体事业部副总经理、首席运营长;2021 年 7 月至今,
担任公司总经理。
胡彬:男,1983 年 1 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,毕业于
东南大学机械设计制造及其自动化专业。其主要任职经历为:2005 年 7 月至 2006 年 6
月就职于苏州富士胶片映像机器有限公司,任技术部工装工程师;2006 年 6 月至 2007
年 6 月,就职于华进科技(江苏)有限公司,任制程工程师;2007 年 6 月至 2009 年 2
月,就职于铁姆肯(无锡)轴承有限公司,任热处理部工装工程师;2009 年 2 月至 2009
年 11 月,就职于南京圣本科技有限公司,任研发部主管;2009 年 12 月至 2011 年 11
月,历任无锡先导自动化设备有限公司机械工程师、机械研发部副经理;2011 年 12 月
至 2018 年 2 月,任先导智能副总经理;2018 年 7 月至 2019 年 12 月,就职于微导有限,
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
任常务副总经理;2019 年 12 月至 2021 年 6 月,任公司总经理;2021 年 7 月至今,任
公司副总经理、光伏事业部总经理。
LI WEI MIN、LI XIANG 的简历详见本募集说明书“第四节 发行人基本情况”之
“六、公司董事、监事、高级管理人员及其他核心人员”之“(一)董事、监事、高级
管理人员及其他核心人员基本情况”之“1、董事”的有关内容。
龙文:男,1988 年 9 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,北京大学硕士研究
生学历,毕业于北京大学软件工程专业。其主要任职经历为:2015 年 7 月至 2017 年 2
月就职于北京天星资本股份有限公司,任投资经理;2017 年 3 月至 2019 年 3 月就职于
苏州翼朴股权投资基金管理有限公司,任投资经理;2019 年 10 月至 2019 年 12 月,任
微导有限董事会秘书;2019 年 12 月至今,任公司董事会秘书。
俞潇莹:女,1984 年 1 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,经济
学学士,会计硕士在读,CMA 持证。其主要任职经历为:2006 年 12 月至 2008 年 5 月
就职于国美电器无锡分公司,任财务;2008 年 5 月至 2016 年 4 月就职于三达精密五金
制造(无锡)有限公司,任财务主管;2016 年 4 月至 2019 年 6 月就职于先导智能,任
财务副经理;2019 年 7 月至 2019 年 12 月任微导有限财务经理;2019 年 12 月至今任公
司财务负责人。
公司现有核心技术人员 4 名,具体情况如下:
姓名 职务 性别 年龄
LI WEI MIN 董事、副董事长、CTO 男 58
LI XIANG 董事、副总经理、联席 CTO 男 44
吴兴华 光伏事业部副总经理 男 45
许所昌 工艺总监 男 40
上述各位核心技术人员简历如下:
LI WEI MIN、LI XIANG 的简历详见本募集说明书“第四节 发行人基本情况”之
“六、公司董事、监事、高级管理人员及其他核心人员”之“(一)董事、监事、高级
管理人员及其他核心人员基本情况”之“1、董事”的有关内容。
吴兴华:男,1980 年 8 月出生,中国台湾籍,硕士研究生学历,毕业于中山大学
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
物理专业。其主要任职经历为:2007 年 12 月至 2012 年 2 月,就职于中国台湾工业技
术研究院,任工程师;2012 年 3 月至 2016 年 7 月,就职于昱晶能源科技股份有限公司,
任副经理;2016 年 9 月至 2019 年 12 月,就职于泰州中来光电科技有限公司,任研发
经理、生产厂长;2019 年 12 月至今,任公司光伏事业部副总经理。
许所昌:男,1985 年 9 月出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生学历,
毕业于中国科学院大连化学物理研究所物理化学专业。其主要任职经历为:2016 年 6
月至 2018 年 9 月,就职于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,任研发工程师;
发主管、研发经理、工艺副总监、工艺总监。
(二)董事、监事、高级管理人员及其他核心人员对外兼职情况
截至本募集说明书签署日,公司现任董事、监事和高级管理人员及核心技术人员的
主要对外兼职情况如下:
在发行人处 兼职单位与发行人
姓名 兼职单位 兼职职务
担任职务 的关系
万海盈投资 发行人控股股东 执行事务合伙人
发行人控股股东、
聚海盈管理 实际控制人的一致 执行事务合伙人
行动人
控股股东控制的其
天芯微 董事
他企业
先导智能 董事
上海弘导科技有限公司 执行董事
江苏恒云太信息科技有限公司 董事
王磊 董事长 江苏同云盛信息技术有限公司 董事
公司实际控制人控
上海晟创科技有限公司 制或对外投资(包 监事
LEAD INTELLIGENT 含曾经对外投资) 董事
INTERNATIONAL PTE. LTD. 或担任董事、高级
上海灏鹰科技有限公司 管理人员的其他企 执行董事
EAGLE VISION INTELLIGENT 业
董事
TECHNOLOGY PTE.LTD.
无锡芯创能科技合伙企业(有限合伙) 执行事务合伙人
上海晗昱科锐技术有限公司 执行董事
无锡吴越半导体有限公司 董事
控股股东控制的其
倪亚兰 董事 天芯微 董事长、总经理
他企业
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
在发行人处 兼职单位与发行人
姓名 兼职单位 兼职职务
担任职务 的关系
先导控股 执行董事兼总经理
上海弘导科技有限公司 总经理
江苏元夫半导体科技有限公司 总经理
江苏元夫半导体科技(日本)有限公司 总经理
珠海横琴先发企业管理有限公司 执行董事兼经理
珠海荣导控股有限公司 执行董事兼经理
无锡卓纳企业管理有限公司 执行董事兼总经理
无锡先为科技有限公司 副董事长、总经理
无锡至普投资有限公司 总经理
无锡煜玺科技有限公司 总经理
江苏锂导创业投资有限公司 总经理
开益禧(无锡)有限公司 总经理
江苏恒云太信息科技有限公司 董事
江苏同云盛信息技术有限公司 董事
常州清雅创业投资合伙企业(有限合伙) 公司实际控制人控 执行事务合伙人
制或对外投资(包
珠海横琴先胜企业管理合伙企业
含曾经对外投资) 执行事务合伙人
(有限合伙)
或担任董事、高级
上海寓馨企业管理合伙企业(有限合伙) 管理人员的其他 执行事务合伙人
上海雍溪企业管理合伙企业(有限合伙) 企业 执行事务合伙人
上海铱炜信息科技中心(有限合伙) 执行事务合伙人
无锡展心管理咨询合伙企业(有限合伙) 执行事务合伙人
EAGLE VISION INTELLIGENT
董事
TECHNOLOGY PTE.LTD.
无锡遨智企业管理有限公司 执行董事、总经理
无锡遨创企业管理有限公司 执行董事、总经理
无锡君华物业管理有限公司 执行董事、总经理
无锡华航管理咨询合伙企业(有限合伙) 执行事务合伙人
无锡遨云企业管理有限公司 执行董事兼总经理
无锡启利管理咨询合伙企业(有限合伙) 执行事务合伙人
无锡启杭管理咨询合伙企业(有限合伙) 执行事务合伙人
执行公司事务的董
无锡元湃半导体材料有限公司
事兼总经理
LEAD JAPAN RESEARCH AND
董事
DEVELOPMENT JAP
拉萨君桦物业管理有限公司 总经理、董事
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
在发行人处 兼职单位与发行人
姓名 兼职单位 兼职职务
担任职务 的关系
上海晗昱科锐技术有限公司 监事
江南大学 无 会计系副教授
朱佳俊 独立董事 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司 无 独立董事
无锡市市政公用产业集团有限公司 无 董事
马晓旻 独立董事 上海市金石律师事务所 无 合伙人
常州奥立思特电气股份有限公司 无 董事
公司间接股东江苏
毅达股权投资基金
江苏毅达汇景资产管理有限公司 董事
管理有限公司控制
的企业
公司间接股东江苏
毅达股权投资基金
西藏爱达汇承企业管理有限公司 执行董事兼总经理
管理有限公司控制
的企业
江苏华绿生物科技集团股份有限公司(证
无 董事
券代码:300970)
芜湖市弘瑞包装制品有限公司 无 董事
樊利平 监事 安徽纯源镀膜科技有限公司 无 董事
浙江集迈科微电子有限公司 无 董事
烟台显华科技集团股份有限公司 无 董事
山东冠森高分子材料科技股份有限公司
无 董事
(证券代码:873670)
山东颐工材料科技股份有限公司 无 董事
厦门赛诺邦格生物科技股份有限公司 无 董事
无锡顺铉新材料有限公司 无 董事
公司间接股东江苏
江阴毅达高新创业投资合伙企业(有限合 毅达股权投资基金 执行事务合伙人委
伙) 管理有限公司控制 派代表
的企业
(三)董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬情况
如下:
单位:万元
序号 姓名 职务 2024 年度薪酬
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
序号 姓名 职务 2024 年度薪酬
合计 1,065.63
注:独立董事的变动详见本章之“(五)报告期内,董事、监事、高级管理人员及其他核心人员变
动情况”。
(四)董事、监事、高级管理人员及其他核心人员持股情况
截至 2024 年 12 月 31 日,公司现任董事、监事、高级管理人员与核心技术人员直
接持有公司股份情况如下:
姓名 职务 持股数量(股) 持股比例
王磊 董事长 - -
倪亚兰 董事 - -
LI WEI MIN 董事、副董事长、CTO、核心技术人员 42,831,704 9.3585%
LI XIANG 董事、副总经理、联席 CTO、核心技术人员 20,158,464 4.4045%
朱佳俊 独立董事 - -
马晓旻 独立董事 - -
潘景伟 监事会主席 8,994,000 1.9651%
樊利平 监事 - -
姜倩倩 职工代表监事 - -
ZHOU REN 总经理 757,420 0.1655%
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
姓名 职务 持股数量(股) 持股比例
胡彬 副总经理 12,594,008 2.7517%
龙文 董事会秘书 43,100 0.0094%
俞潇莹 财务负责人 28,725 0.0063%
吴兴华 光伏事业部副总经理、核心技术人员 14,505 0.0032%
许所昌 工艺总监、核心技术人员 11,500 0.0025%
合计 85,433,426 18.6667%
截至 2024 年 12 月 31 日,公司现任董事、监事、高级管理人员与核心技术人员间
接持有公司股份情况如下:
姓名 职务 持股数量(股) 持股比例
王磊 董事长 219,516,741 47.9631%
倪亚兰 董事 46,637,180 10.1900%
LI WEI MIN 董事、副董事长、CTO、核心技术人员 - -
LI XIANG 董事、副总经理、联席 CTO、核心技术人员 - -
朱佳俊 独立董事 - -
马晓旻 独立董事 - -
潘景伟 监事会主席 - -
樊利平 监事 16,975 0.0037%
姜倩倩 职工代表监事 - -
ZHOU REN 总经理 - -
胡彬 副总经理 202,328 0.0442%
龙文 董事会秘书 193,524 0.0423%
俞潇莹 财务负责人 163,056 0.0356%
吴兴华 光伏事业部副总经理、核心技术人员 153,499 0.0335%
许所昌 工艺总监、核心技术人员 161,939 0.0354%
合计 267,045,243 58.3478%
(五)报告期内,董事、监事、高级管理人员及其他核心人员变动情况
报告期初,公司共 6 名董事,包括王磊、倪亚兰、LI WEI MIN、LI XIANG 以及独
立董事黄培明、朱和平。
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根据中国证监会《上市公司独立董事管理办法》第八条“独立董事原则上最多在三
家境内上市公司担任独立董事”的要求,公司原独立董事黄培明、朱和平因在中国境内
上市公司任职独立董事超过三家,分别于 2024 年 3 月 26 日、2024 年 4 月 26 日申请辞
去公司独立董事及相关专门委员会职务,辞任后不再担任公司任何职务。2024 年 5 月
报告期初,公司共有三名监事,分别为非职工监事潘景伟、樊利平及职工代表监事
姜倩倩,其中潘景伟为监事会主席。
报告期内,公司监事会人员未发生变化。
报告期初,公司高级管理人员共 6 名,分别为 ZHOU REN、LI WEI MIN、LI XIANG、
胡彬、龙文、俞潇莹。
为公司联席 CTO。
报告期初,公司核心技术人员共 4 名,分别为 LI WEI MIN、LI XIANG、许所昌、
吴兴华。
报告期内,公司核心技术人员未发生变化。
(六)公司对董事、高级管理人员及其他员工的激励情况
截至 2024 年末,聚海盈管理直接持有公司 37,798,352 股股份,占公司总股本的比
例为 8.26%,系公司员工持股平台。其基本情况如下:
企业名称 无锡聚海盈管理咨询合伙企业(有限合伙)
住所 无锡市行创四路 7 号
企业类型 有限合伙企业
认缴出资额 443.19075 万元
实缴出资额 443.19075 万元
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
统一社会信用代码 91320200MA1NDT2K6E
执行事务合伙人 王磊
成立日期 2017 年 2 月 16 日
合伙期限 2017 年 2 月 16 日至 2067 年 2 月 15 日
企业管理咨询(不含投资咨询)。(依法须经批准的项目,
经营范围
经相关部门批准后方可开展经营活动)
登记状态 存续(在营、开业、在册)
截至本募集说明书签署日,聚海盈管理合伙人共计 26 名,具体情况如下:
单位:万元
序号 合伙人名称 认缴财产份额 实缴财产份额 出资比例 合伙人类别
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序号 合伙人名称 认缴财产份额 实缴财产份额 出资比例 合伙人类别
合计 443.19075 443.19075 100.00% -
报告期内,公司制定并实施了 2023 年限制性股票激励计划,该计划执行情况如下:
①2023 年 3 月 13 日,公司召开第二届董事会第三次会议,审议通过了《关于公司
及其摘要的议案》《关于公司股票激励计划实施考核管理办法>的议案》《关于提请股东大会授权董事会办理公司
了同意的独立意见。
同日,公司召开第二届监事会第三次会议,审议通过了《关于公司股票激励计划(草案)>及其摘要的议案》《关于公司施考核管理办法>的议案》《关于核实公司对象名单>的议案》。公司监事会对本激励计划的相关事项进行核实并出具了相关核查
意见。
②2023 年 3 月 14 日,公司于上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)披露了《江
苏微导纳米科技股份有限公司 2023 年限制性股票激励计划首次授予激励对象名单》
《江
苏微导纳米科技股份有限公司关于独立董事公开征集委托投票权的公告》(公告编号:
年第二次临时股东大会审议的本激励计划相关议案向公司全体股东公开征集投票权。
③2023 年 3 月 14 日至 2023 年 3 月 23 日,公司对本激励计划拟激励对象名单及职
务在公司内部进行了公示。截至公示期满公司监事会未收到任何组织或个人对本次拟激
励对象提出的异议。具体内容详见公司于 2023 年 3 月 24 日在上海证券交易所网站
(www.sse.com.cn)披露的《江苏微导纳米科技股份有限公司监事会关于公司 2023 年
限制性股票激励计划首次授予激励对象名单的公示情况说明及核查意见》(公告编号:
④2023 年 3 月 29 日,公司召开 2023 年第二次临时股东大会,审议通过了《关于
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公司及其摘要的议案》《关于公司制性股票激励计划实施考核管理办法>的议案》《关于提请股东大会授权董事会办理公
司 2023 年限制性股票激励计划有关事项的议案》。公司实施本激励计划获得股东大会
批准,董事会被授权确定限制性股票授予日、在激励对象符合条件时向激励对象授予限
制性股票并办理授予限制性股票所必需的全部事宜。次日,公司在上海证券交易所网站
(www.sse.com.cn)披露了《江苏微导纳米科技股份有限公司关于 2023 年限制性股票
激励计划内幕信息知情人及激励对象买卖公司股票情况的自查报告》(公告编号:
⑤2023 年 3 月 29 日,公司召开第二届董事会第四次会议及第二届监事会第四次会
议,审议通过了《关于调整 2023 年限制性股票激励计划首次授予激励对象名单及授予
数量的议案》《关于向激励对象首次授予限制性股票的议案》。公司独立董事对相关事
项发表了同意的独立意见。公司监事会对本激励计划首次授予的激励对象名单进行核实
并发表了核查意见。
⑥2024 年 3 月 26 日,公司第二届董事会薪酬与考核委员会第三次会议审议通过了
《关于向 2023 年限制性股票激励计划激励对象授予预留限制性股票的议案》。2024 年
过了《关于向 2023 年限制性股票激励计划激励对象授予预留限制性股票的议案》。公
司监事会对本激励计划预留授予的激励对象名单进行核实并发表了核查意见。
⑦2024 年 4 月 16 日,公司第二届董事会薪酬与考核委员会第四次会议审议通过了
《关于 2023 年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属条件成就的议案》
及《关于作废 2023 年限制性股票激励计划部分已授予但尚未归属限制性股票的议案》。
审议通过了《关于 2023 年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期归属条件成
就的议案》及《关于作废 2023 年限制性股票激励计划部分已授予但尚未归属限制性股
票的议案》。公司监事会对本激励计划首次授予部分第一个归属期归属人员名单进行核
实并发表了核查意见。
⑧2024 年 7 月 22 日,公司第二届董事会薪酬与考核委员会第六次会议审议通过了
《关于调整 2023 年限制性股票激励计划授予价格的议案》。2024 年 7 月 24 日,公司
召开第二届董事会第十四次会议及第二届监事会第十三次会议,审议通过了《关于调整
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
⑨2025 年 4 月 18 日,公司第二届董事会薪酬与考核委员会第七次会议审议通过了
《关于 2023 年限制性股票激励计划首次授予部分第二个归属期及预留授予部分第一个
归属期归属条件成就的议案》及《关于作废 2023 年限制性股票激励计划部分已授予但
尚未归属限制性股票的议案》。2025 年 4 月 25 日,公司召开第二届董事会第二十二次
会议及第二届监事会第二十次会议,审议通过了《关于 2023 年限制性股票激励计划首
次授予部分第二个归属期及预留授予部分第一个归属期归属条件成就的议案》及《关于
作废 2023 年限制性股票激励计划部分已授予但尚未归属限制性股票的议案》。公司监
事会对本激励计划首次授予部分第二个归属期及预留授予部分第一个归属期归属人员
名单进行核实并发表了核查意见。
七、发行人特别表决权股份或类似安排
截至本募集说明书签署日,公司不存在特别表决权股份或类似安排情形。
八、公司所处行业的基本情况
(一)公司所处行业的分类
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》(2012 年修订),公司所处行业隶属
于“专用设备制造业”(行业代码:C35 );根据《国民经济行业分类与代码》
(GBT/4754-2017),公司所处行业隶属于“专用设备制造业”下的“半导体器件专用
设备制造”(行业代码:C3562)。
(二)行业监管体制及最近三年监管政策的变化
公司所处行业主管部门为国家发改委、工信部。国家发改委主要从宏观上组织拟订
行业发展、产业技术进步的战略、规划和重大政策;组织推动技术创新和产学研联合;
协调解决重大技术装备推广应用等重大问题。工信部主要职责为拟订并组织实施工业行
业规划、产业政策和标准;监测工业行业日常运行;推动重大技术装备发展和自主创新。
公司所处的行业全国性自律组织主要有中国半导体行业协会、中国光伏行业协会、
中国电子专用设备工业协会等。行业协会主要负责贯彻落实政府产业政策;开展产业及
市场研究,向会员单位和政府主管部门提供咨询服务;行业自律管理;代表会员单位向
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政府部门提出产业发展建议和意见等。
半导体行业和清洁能源是国家重点发展的战略性新兴产业,近年来,国家推出一系
列法律法规和政策引导行业向积极、规范的方向发展,为包括设备在内的产业发展营造
了良好的政策环境。从中长期看,上述法律法规及政策有利于规范我国半导体和光伏行
业的市场秩序,引导行业内企业加快产业结构升级、提高技术水平、增强市场竞争力,
从而为公司的经营发展营造了良好的政策环境。
序号 时间 制定单位 文件名称 主要内容
半导体领域主要法律法规及政策
提出着力发展集成电路设计业;加速发展集成电路制造业;
提升先进封装测试业发展水平;突破集成电路关键装备和
材料;并从成立国家集成电路产业发展领导小组、设立国
《国家集成电路产
业发展推进纲要》
加强安全可靠软硬件的推广应用、强化企业创新能力建设、
加大人才培养和引进力度、继续扩大对外开放等八个方面
配备了相应的保障措施。
第一类鼓励类……二十八、信息产业……19、集成电路设
计,线宽 0.8 微米以下集成电路制造,及球栅阵列封装
(BGA),插针网格阵列封装(PGA),芯片规模封装(CSP)
,
《产业结构调整指
装(SIP),倒装封装(FC),晶圆级封装(WLP),传
感器封装(MEMS)等先进封装与测试;20、集成电路装
备制造。
《新时期促进集成 制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识
电路产业和软件产 产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施,进一步
业高质量发展的若 创新体制机制,鼓励集成电路产业和软件产业发展,大力
干政策》 培育集成电路领域和软件领域企业。
国家发改 《关于扩大战略性
加快基础材料、关键芯片、高端元器件、新型显示器件、
委、科技部、新兴产业投资培育
工信部、财 壮大新增长点增长
建设,积极扩大合理有效投资。
政部 极的指导意见》
制定实施战略性科学计划和科学工程,瞄准前沿领域。其
中,在集成电路领域,关注集成电路设计工具、重点装备
《第十四个五年规
和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅
双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工
标纲要》
艺突破,先进存储技术升级,碳化硅、氮化镓等宽禁带半
导体发展。
实施产业链强链补链行动,加强面向多元化应用场景的技
《“十四五”数字经 术融合和产品创新,提升产业链关键环节竞争力,完善 5G、
济发展规划》 集成电路、新能源汽车、人工智能、工业互联网等重点产
业供应链体系。
工信部、科 《制造业可靠性提 电子行业重点提升电子整机装备用 SoC/MCU/GPU 等高端
技部、财政 升实施意见》 通用芯片、氮化镓/碳化硅等宽禁带半导体功率器件、精密
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
序号 时间 制定单位 文件名称 主要内容
部等 光学元器件、光通信器件、新型敏感元件及传感器、高适
应性传感器模组、北斗芯片与器件、片式阻容感元件、高
速连接器、高端射频器件、高端机电元器件、LED 芯片等
电子元器件的可靠性水平。
《电子信息制造业 梳理基础电子元器件、半导体器件、光电子器件、电子材
工信部、财
政部
长行动方案》 系,加快重点标准制定和已发布标准落地实施。
第一类鼓励类……二十八、信息产业……4.集成电路:集
《产业结构调整指 成电路设计,集成电路线宽小于 65 纳米(含)的逻辑电路、
路
光伏领域主要法律法规及政策
从 2017 年至 2020 年,光伏电站的新增计划装机规模为
者合计的年均新增装机规模将超过 21GW。就指导意见来
看,上述新增规模对应的仅是地面电站的计划指标,并不
《关于可再生能源
包括不限建设规模的分布式光伏发电项目、村级扶贫电站
以及跨省跨区输电通道配套建设的光伏电站。北京、天津、
实施的指导意见》
上海、福建、重庆、西藏、海南等 7 个省(区、市),可
以自行管理本区域“十三五”时期光伏电站建设规模,根
据本地区能源规划、市场消纳等条件有序建设,也并不受
上述规划规模限制。
关于印发《绿色产业
版)》的通知(发改
着力壮大节能环保、清洁生产、清洁能源等绿色产业。
环资[2019]293 号)
积极推进平价上网项目建设:在组织电网企业论证并落实
平价上网项目的电力送出和消纳条件基础上,优先推进平
价上网项目建设。严格规范补贴项目竞争配置;竞争配置
《关于 2019 年风
工作方案应严格落实公开公平公正的原则,将上网电价作
电、光伏发电项目建
为重要竞争条件,优先建设补贴强度低、退坡力度大的项
目。全面落实电力送出消纳条件:对所在省级区域风电、
(国能发新能
光伏发电新增建设规模的消纳条件进行测算论证,做好新
[2019]49 号)》
建风电、光伏发电项目与电力送出工程建设的衔接并落实
消纳方案,优先保障平价上网项目的电力送出和消纳,优
化建设投资营商环境。
第一类鼓励类……二十八、信息产业……51、先进的各类
太阳能光伏电池及高纯晶体硅材料(多晶硅的综合电耗低
于 65kWh/kg,单晶硅光伏电池的转换效率大于 22.5%,多
晶硅电池的转化效率大于 21.5%,碲化镉电池的转化效率
《产业结构调整指 大于 17%,铜铟镓硒电池转化效率大于 18%);十四、机
多用途模块化小型堆设备及关键部件;2.5 兆瓦以上风电设
备整机及 2.0 兆瓦以上风电设备控制系统、变流器等关键
零部件;各类晶体硅和薄膜太阳能光伏电池生产设备;海
洋能(潮汐、海浪、洋流)发电设备。
《长江三角洲区域 协同推进新能源设施建设,因地制宜开发陆上风电和光伏
一体化发展规划纲 发电,有序推进海上风电建设,鼓励新能源龙头企业跨省
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
序号 时间 制定单位 文件名称 主要内容
要》 投资建设风能、太阳能、生物质等新能源。
积极推进平价上网项目、有序推进需国家财政补贴项目、
《2020 年风电、光
全面落实电力送出消纳条件、严格项目开发建设信息监测,
保障了政策的延续性,有利于推进风电、光伏发电向平价
关事项的通知》
上网的平稳过渡,实现行业的健康可持续发展。
加快发展非化石能源,坚持集中式和分布式并举,大力提
《第十四个五年规
升风电、光伏发电规模,加快发展东中部分布式能源;建
设一批多能互补的清洁能源基地,非化石能源占能源消费
标纲要》
总量比重提高到 20%左右。
《关于 2021 年风 2021 年,全国风电、光伏发电发电量占全社会用电量的比
设有关事项的通知》消费占一次能源消费的比重达到 20%左右
《智能光伏产业创 光伏材料、零部件与装备:推动新型高效电池用关键部件
国家工信部
等部门
(2021-2025 年)》 术。
国家发展改 全面推进风电和太阳能发电大规模开发和高质量发展,优
《“十四五”现代能
源体系规划》
能源局 电和分布式光伏建设,推广应用低风速风电技术
加快智能光伏创新突破,发展高纯硅料、大尺寸硅片技术,
《关于推动能源电 支持高效低成本晶硅电池生产,推动 N 型高效电池、柔性
意见》 升规模化量产能力。加大对关键技术装备、原辅料研发应
用的支持力度。
加大力度规划建设以大型风电光伏基地为基础、以其周边
《新型电力系统发 清洁高效先进节能的煤电为支撑、以稳定安全可靠的特高
稿)》 集中与分布并举、陆上与海上并举、就地利用与远距离外
送并举,构建新能源多元化开发利用新格局。
国家发改 《关于促进退役风 支持光伏设备制造企业通过自主回收、联合回收或委托回
源局等 用的指导意见》 备制造企业主动提供回收服务。
第一类鼓励类……二十八、信息产业……7.电子元器件生
《产业结构调整指 产专用设备:半导体照明设备,太阳能光伏设备,片式元
刷机、自动贴片机、无铅回流焊、光电自动检查仪)等
《光伏制造行业规 引导光伏企业减少单纯扩大产能的光伏制造项目,加强技
(征求意见稿) 伏制造项目,最低资本金比例为 30%。
(三)行业近三年在科技创新方面的发展情况和未来发展趋势
薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层,使之具
备一定的特殊性能,广泛应用于半导体、光伏等领域的生产制造环节。薄膜沉积设备按
照工艺原理的不同可分为物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备和
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原子层沉积(ALD)设备。
(1)PVD
PVD 是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原
子或分子,或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积
具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD 镀膜技术主要分为三类:真空蒸发镀膜、真空
溅射镀膜和真空离子镀膜。
(2)CVD
CVD 是通过化学反应的方式,利用加热、等离子或光辐射等各种能源,在反应器
内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技
术,是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺,可应用于绝缘薄膜、
硬掩模层以及金属膜层的沉积。
(3)ALD
ALD 是一种特殊的真空薄膜沉积方法,将物质以单原子层的形式一层一层沉积在
基底表面,每镀膜一次/层为一个原子层,根据原子特性,镀膜 10 次/层约为 1nm。由于
ALD 技术表面化学反应具有自限性,因此拥有多项独特的薄膜沉积特性:1)三维共形
性,广泛适用于不同形状的基底;2)大面积成膜的均匀性,且致密、无针孔;3)可实
现亚纳米级的薄膜厚度控制。基于上述特性,ALD 技术广泛适用于不同场景下的薄膜
沉积,在半导体、光伏、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖
领域均拥有良好的产业化前景。
半导体薄膜沉积设备技术的演进路径与半导体器件的大小和结构息息相关。在摩尔
定律的推动下,元器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小,影响集成电路制
造工序愈为复杂,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。随着晶圆线宽不断缩
小,晶体管密度越接近物理极限,单纯依靠提高制程来提升集成电路性能将变得越来越
难,并且成本也在指数级攀升,因此集成电路目前已进入“后摩尔时代”,制造工艺向
着小型化、多样化和高能效、功能化方向发展,各类新材料、新构架、新工艺、新设备、
新器件不断出现。这一趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求,市场对于高性能薄
膜沉积设备的依赖逐渐增加。
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(1)半导体领域中 PVD、CVD、ALD 三类薄膜沉积技术相互补充、不断迭代
常见的半导体领域中薄膜类型主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大
类。半导体领域薄膜的沉积材料与应用场景复杂多样,伴随制程的演变及材料需求增加,
薄膜沉积工艺和设备不断进步。根据薄膜制备依据的基础原理不同,可将薄膜沉积设备
分为不同的技术路线。PVD、CVD、ALD 三类薄膜沉积技术均为目前半导体领域的主
流技术路线,但各技术适用的环节有所不同。在芯片的制造过程中,涉及十余种不同材
料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺环节,需要不同性能和材料的薄膜,因此 PVD、
CVD、ALD 三类薄膜沉积技术依靠各自技术特点拓展适合的应用领域,材料制备上相
互补充,各自也随着下游应用需求的提高持续发展。
ALD 技术相较于 CVD 技术和 PVD 技术,产业化应用起步时间较晚,在 45nm 以
上等成熟制程、2D 平面结构器件中应用较少,2007 年 Intel 公司才首次在 45nm 技术节
点上开始应用 ALD 技术进行薄膜制备,主要由于在先进制程节点下,原来用于成熟制
程的溅射 PVD、PECVD 等工艺无法满足部分工序要求,因此需要引入 ALD 工艺。ALD
技术凭借其原子层级沉积特点,具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、
沟槽填充性能极佳等优势,特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用,
在 45nm 以下节点以及 3D 结构等半导体薄膜沉积环节具有较好的应用前景。半导体制
程演进与薄膜沉积技术对应情况如下:
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(2)ALD 技术在逻辑芯片、DRAM、3D NAND、新型存储器、新型半导体材料
等重要领域的技术优势明显,应用迅速扩大
①晶体管结构需要全方位的 ALD 解决方案
晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元,漏电一直是影响其良率、
性能和功耗的重要影响因素。进入 45nm 制程特别是 28nm 之后,传统的 SiO2 栅介质层
薄膜材料厚度需缩小至 1 纳米以下,将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应,导
致漏电流急剧增加、器件性能急剧恶化,业界提出了用 High-k 材料来代替 SiO2 改善器
件性能。HfO2 作为栅介质层得到了广泛应用,栅介质层要求厚度原子级别的精确控制
及高覆盖率和薄膜均匀性,所以需要 ALD 技术来进行薄膜沉积。
不同制程下晶体管结构
资料来源:Lam Research
为了进一步提升器件性能,在半导体制程进入 28nm 后,由于器件不断微缩且转变
为 3D 结构,如 FinFET、GAA 等。在标准平面替换闸极技术中,金属栅极堆叠由 ALD、
PVD 以及 CVD 多种技术沉积金属层结合组成,但器件过渡到 FinFET、GAA 等三维结
构,PVD 和 CVD 则难以达到沉积效果,需要全方位的 ALD 解决方案。
目前,当技术节点向 14nm 甚至更小的方向升级时,半导体行业的薄膜沉积设备中,
ALD 设备对于技术发展的必要性更加凸显。基于供应链安全考虑,国内设备制造商正
面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化
进程加快的背景下,国产半导体 ALD 设备迎来前所未有的发展契机。
②ALD 技术在存储芯片 DRAM、3D NAND 需求越来越大
随着 DRAM 存储器容量不断增大,其内部的电容器数量随之剧增,而单个电容器
的尺寸将进一步减小,器件内部沟槽以及深孔的深宽比也越来越大。深沟槽将需要更高
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的薄膜表面积,例如在 45nm 制程中,沟槽结构深宽比达到 100:1,所沉积薄膜的有效
面积大约是器件本身表面积的 23 倍。这些给沉积技术提出了更高的要求。同样地,得
益于薄膜以单原子层为量级生长所带来的大面积均匀性、高台阶覆盖率和对膜厚的精确
控制,ALD 技术能够很好地满足这些要求。
和 CVD 难以达到沉积效果,ALD 则可以实现高深宽比特征下的均匀镀膜。以最具挑战
性的向字线中填充导电钨为例:3D NAND 交替堆叠氧化物和氮化物介电层,目前层数
多达 256 层。密集排列且具有高深宽比的孔渗透至这些层中,按照高深宽比通道将排列
分为字线。为了创建存储单元,必须移除氮化物层并以钨进行替换。这种钨必须通过深
(垂直深度 50:1)通道引入,然后横向扩散,从而以无孔洞的超共形沉积方式填充(之
前的)氮化物水平面(横向比约 10:1)。原子层沉积能够一次沉积一个薄层,这就确保
了均匀填充,并防止因堵塞而产生的空隙。
资料来源:Lam Research
③ALD 技术在新型存储技术迭代和发展中起到重要作用
未来存储器的技术迭代包括进一步发展功耗低、速度快、容量大、记忆时间长的各
类新型存储器,如铁电存储器(FeRAM)、阻变存储器(RRAM)等,其所具有的特
殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能,也相应的需要更为尖端的薄膜沉积工艺
作为支撑。
FeRAM 结构示意图
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资料来源:Journal of Advanced Dielectrics
以铁电存储器(FeRAM)为例,其铁电容栅介质层 HfO2 厚度往往小于 5nm 且呈现
高深宽比结构,同时还需要在其介质中精确掺杂 Zr 和 La 来保持界面特性以稳定特定铁
电相。利用 ALD 技术所具有的原子级别的薄膜膜厚和均匀性精确控制、高覆盖率沉积
的特点,通过精确控制和调节循环比例(多元掺杂和叠层技术),可以获得目标铁电电
容材料 HZLO 薄膜及原子组成(Hf:Zr:La:O),满足了铁电存储器件制造过程的需要。
又比如阻变存储器(RRAM),其是利用金属氧化物材料在外加电场作用下高阻态和低
阻态之间的可逆转换实现信息存储,相应金属氧化物材料包括 TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5、
ZnO 等,此类材料在制造过程中对薄膜厚度、均匀性和覆盖率均有较为严格的要求且需
要使用各类掺杂工艺,使用 ALD 技术能够满足相关的需求。
④ALD 技术在铟镓锌氧化物(IGZO)等新型半导体材料制备的应用增加
以铟镓锌氧化物(IGZO)作为代表的宽禁带半导体材料,可以有效抑制关态漏电
流,具有理想的迁移率、低热预算等优点,在三维堆叠存储器、单片三维集成中具有重
要的应用潜力,有助于提高晶体管的集成密度。另外,在显示应用领域,相比传统非晶
硅和低温多晶硅晶体管,IGZO 薄膜晶体管很好地兼备了高迁移率、大面积成膜均一、
低成本且工艺兼容的优势,被大规模地应用在新一代显示驱动领域。制备 IGZO 的关键
是精确控制元素配比和含氧量,其直接影响到器件本身的特性和稳定性。相对于其他工
艺方法,通过 ALD 技术可以获得到具有精确厚度、较低氧缺陷的高性能 IGZO 薄膜,
在复杂结构的尖端器件和新型显示应用中具有良好的应用前景。
基于铟镓锌氧化物(IGZO)材料的薄膜晶体管(TFT)结构示意图
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资料来源:Journal of Semiconductor Technology and Science
⑤器件微缩采用的多重曝光技术需要 ALD 技术
自 2011 年开始,晶圆代工厂开始采用效率更高、功耗更低的 16nm/14nm FinFET
晶体管结构,但由于当光罩线宽接近光源波长时将会发生明显的衍射效应,会导致光刻
工序的失效。在 EUV 技术普及之前,目前主流的 ArF DUV 光刻机(波长 193nm)通
过浸润、相移掩模、多重曝光等方法,满足 28nm 以下 7nm 以上的制程工艺。多重曝光
技术是指在现有的光刻机精度下,依次使用不同的掩膜版,分别进行两次及以上的曝光,
将一次曝光留下的介质层作为二次曝光的部分遮挡层。在此过程中,由于多重曝光增加
了多道薄膜沉积工序,需要薄膜技术具有接近 100%的保型性、薄膜厚度控制精准,因
此 ALD 技术被迅速推广应用。
多重曝光技术
综上所述,ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚
控制等特点,技术优势愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。
SEMI 预计 2020 年-2025 年全球 ALD 设备市场规模年复合增长率将达到 26.3%,在各
类关键晶圆生产设备中增速最快。
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(3)CVD 等传统薄膜沉积技术仍具有十分广泛的应用和市场空间
虽然随着 ALD 技术的发展,其应用范围逐步拓展,但由于芯片的制造过程中,涉
及数十乃至百余种不同要求的薄膜材料,各类电性能、机械性能不同的薄膜构成了芯片
度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求,CVD 等传统薄膜沉积设备仍广泛应用于半导体
薄膜沉积的各环节,并占据一定的市场空间。根据 Gartner 数据,在 2022 年全球各类薄
膜沉积设备市场份额中,PECVD、LPCVD 等 CVD 技术仍是薄膜沉积设备中占比最高
的设备类型,PECVD 占整体薄膜沉积设备市场的 28%,LPCVD 设备占比约为 10%。
其中,PECVD 设备是芯片制造的核心设备之一。由于等离子体的作用,可以在相
对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜,不破坏已有薄膜和已形成的底层电路,
实现更快的薄膜沉积速度,是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备之一。
再如,LPCVD 技术中,反应压强下降到 100Torr 及以下,分子的自由程与气体扩
散系数增大,气态反应物和副产物的质量传输速率加快,形成薄膜的反应速率增加,具
备较佳的阶梯覆盖率及很好的组成成份和结构控制。LPCVD 设备具有沉积速率快,产
能高等特点,且不需要载子气体,大大降低了颗粒污染源,被广泛地应用在芯片制造过
程中。
PECVD、LPCVD 等 CVD 设备适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽
填充能力等的不同要求,相关设备覆盖的工艺范围广,应用场景也较多。因国内半导体
行业发展较为迅速,且目前 CVD 的国产化率水平还处于较低水平,国内 CVD 设备市
场具有十分广阔的市场空间。
(4)公司半导体 ALD 和 CVD 技术的发展情况
公司半导体 ALD 和 CVD 设备的应用场景均代表国内半导体各细分领域的工艺发
展方向,在逻辑芯片、存储芯片、新型显示、化合物半导体、先进封装等领域均有设备
订单,并已在客户端验证或验收,具体情况如下:
①在逻辑芯片领域,已开发的逻辑芯片中 High-k 栅介质层是国内集成电路技术迭
代升级要求最高的工艺之一。公司 ALD 设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率
和薄膜的均匀性,制备的 High-k 材料 HfO2 较好地满足了逻辑器件制造过程的需要,相
关设备已取得客户验收,实现产业化应用,并已获得重复订单。同时,公司还在逻辑芯
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片领域陆续开发新的设备工艺和材料应用。
②在存储芯片领域,ALD 设备在 High-k 栅电容介质层、介质覆盖层、电极、阻挡
层等工艺中的优势使其被广泛应用于 DRAM、3D NAND、新型存储器等半导体制造领
域,未来其在薄膜沉积环节的市场占有率将持续提高。公司应用于该领域的部分设备已
进入产业化应用阶段。其中,iTomic 系列单片型 ALD 设备已获得多种工艺设备的重复
订单,且在铟镓锌氧化物(IGZO)等半导体材料以及铁电存储器(FeRAM)等新型存
储领域内储备并开发了多种工艺及设备。IGZO 相关工艺和设备处于客户测试阶段。
FeRAM 相关工艺和设备目前正在客户产线进行量产验证,成为国内少数成功量产应用
于新型存储器制造生产线的国产薄膜沉积设备之一;iTomic MW 系列批量型 ALD 设备
也已获得客户订单,且为国内首台批量型 ALD 设备在存储芯片制造领域的应用。
CVD 设备在 DRAM 芯片、NAND 芯片等领域具有广泛的应用。其中,iTronix 系
列 CVD 设备已经获得了行业重要客户的批量重复订单,截至本募集说明书签署日,部
分产品已获得客户验收。
③在新型显示芯片领域,公司产品主要应用于硅基 OLED 的阻水阻氧保护层制备,
该类硅基 OLED 具有尺寸小、便携性等特点,主要用于近眼显示系统和投影显示,市
场前景广阔且发展迅速,薄膜沉积环节是影响其量产的关键技术之一。在该领域内,公
司已陆续获得了如京东方、合肥视涯、浙江宏禧等新型显示硅基 OLED 厂商知名客户
的订单,并顺利出货。部分产品已获得客户验收,并取得重复订单。
④在化合物半导体领域,化合物半导体的钝化层和过渡层应用化合物半导体功率器
件具有广阔的市场前景。例如,氮化镓器件相对于硅基器件有高频高压的特点,其栅极
结构逐渐被 V 型或深沟槽型结构取代,氮化镓器件的漏电问题也日益突出。ALD 技术
适合于生长超薄 Al2O3、AlN 等薄膜作为钝化层和过渡层,可以起到更好的器件漏电抑
制效果,保证器件具有良好的漏电和击穿性能。公司应用于该领域的 iTomic Lite 系列
轻型 ALD 设备产品已获得多个客户订单,部分已取得客户验收,实现产业化应用。
随着逻辑芯片、DRAM、3D NAND 及新型存储器芯片、化合物半导体、新型显示
(硅基 OLED)、先进封装等半导体技术的快速发展,下游生产环节对于沉积薄膜的厚
度、精度、成分和结构的要求不断提高,对 ALD、CVD 设备采购需求将会持续增加。
公司已经与下游半导体制造厂商就各类尖端应用开展合作,能够满足客户制备高质量薄
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膜的需求。在国产化进程加快的背景下,随着下游客户逐步达产和半导体各细分领域工
艺应用投资规模的扩大,公司产品将具有更广阔的市场前景。
光伏薄膜沉积设备技术的演进路径与光伏电池类型变化相关。太阳能电池片技术路
线主要包括铝背场电池(Al-BSF)、PERC、TOPCon、异质结(HJT)、XBC 电池、
钙钛矿等。目前,由于 PERC 电池片的量产平均转换效率已逐渐接近理论极限,TOPCon、
HJT、XBC 等新型电池技术路线正逐步成为电池技术的主要发展方向。
光伏领域中薄膜沉积技术以 PECVD 和 ALD 为主,综合使用多项技术路线是行业
趋势。PECVD 技术因其兼容性高,各类型应用前景广泛。ALD 技术作为成膜质量最好
的技术,随着光伏效率提升对薄膜工艺要求提高,也有更多的应用场景。行业内薄膜沉
积设备厂商目前主要以 PECVD 或 ALD 技术路线为主,根据各自的技术积累和未来技
术方向的专业判断,同时进行多种技术路线的选择和尝试。
公司 ALD 技术在 TOPCon 电池中已经取得良好应用,因 ALD 技术优异的保型性
且薄膜材料密度一致,在 TOPCon 电池具有金字塔绒面的正面 Al2O3 钝化层制备中,公
司的 ALD 设备正成为主流技术路线。同时,公司还基于 PEALD、PECVD 等多种真空
薄膜技术,开发多款不同技术路线的产品,已推出的 PE-ToxPoly 设备产业化进展顺利,
客户认可度较高。由公司开发的行业内首条 GW 级 PE-TOPCon 工艺整线已经获得客户
的验收,带动和引领了行业内 TOPCon 电池的量产导入。同时,公司还积极地探索开发
双面 Poly、XBC、异质结/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池方面的技术。
(四)行业概况及市场发展情况
(1)半导体设备基本情况
半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备,前道工艺设备为晶圆制造设备,
后道工艺设备包括封装设备和测试设备,其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中
前道设备投资额占总设备投资额约 80%,是半导体设备行业最核心的组成部分。从晶圆
厂的设备投资构成来看,刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺
中最重要的三类设备。其中,薄膜沉积设备投资额占晶圆厂设备投资总额约 18%。
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晶圆厂设备投资构成
资料来源:SEMI、Gartner、天风证券
(2)半导体设备行业发展情况
趋势。根据 SEMI 统计,全球半导体设备销售额从 2018 年的约 645 亿美元增长至 2023
年的 1,063 亿美元,年均复合增长率约为 10.51%。
全球半导体设备销售额(亿美元)
数据来源:SEMI
由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格,行业进入的技术壁垒、市场
壁垒和客户认证壁垒较高,全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设
备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。从需求端分析,根据 SEMI 统计数据,2018-2023
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年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到 22.81%。2023 年,中国大陆半导体设
备的销售额达到 366 亿美元,同比增长 29.79%,发展势头强劲。
中国大陆半导体设备销售额及增速
数据来源:SEMI
根据芯思想研究院的调研,截至 2023 年 12 月 20 日,我国内地共建有 12 英寸晶圆
厂 45 座,规划产能合计 238 万片,实际产量约在 125-140 万片之间;在建 24 座,规划
产能合计 125 万片(其中外资在建 18 万片);规划兴建或改造 13 座,规划产能合计
受益于中国大陆地区晶圆厂建设加速推进,中国大陆半导体设备市场需求快速增长。
中国大陆已成为全球第一大半导体设备需求市场。
(3)半导体薄膜沉积设备的发展情况
①半导体薄膜沉积设备行业发展情况
A、薄膜沉积设备市场规模持续增长
根据 Maximize Market Research 数据统计,全球半导体薄膜沉积设备市场规模从
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资料来源:Maximize Market Research
B、薄膜沉积设备国产化率低
我国半导体设备经过最近几年快速发展,在部分领域已有一定的进步,但整体国产
设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低,半导体薄膜沉积设备行业基本由 AMAT、
ASM、Lam、TEL 等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民
营企业的兴起,我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善,但半导体薄膜沉积设
备尤其是中高端产品的国产化率仍然较低。
C、各类薄膜沉积设备发展态势
从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看,根据 Gartner 统计,2019 年全球半导体
薄膜沉积设备中 PECVD、PVD、ALD 设备的市场规模占比分别为 33%、23%和 11%;
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在半导体制程进入 28nm 后,由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化,生产过程
中需要实现厚度更薄的膜层,以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下,ALD
技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点,技术优势
愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。
②半导体薄膜沉积设备发展趋势
A、半导体行业景气度带动设备需求增长
随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈现快速增长态势,拉动
市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求
增加与产线产能的扩充,另一方面受益于技术演进带来的增长机遇,包括制程进步、多
重曝光与 3D NAND 存储技术,全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。据
SEMI 统计,2023 年全球半导体薄膜沉积设备市场规模为 211 亿美元,结合中国大陆半
导体制造设备销售额占全球销售额约 29%的比例测算,2023 年中国大陆半导体薄膜沉
积设备市场规模约为 61 亿美元。随着芯片制造工艺不断走向精密化,所需要的薄膜层
数越来越多,推动半导体薄膜沉积设备市场需求持续增长,Maximize Market Research
预计 2029 年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达 559 亿美元,同比推算国内市场规
模将达 162 亿美元。
B、国产设备市场空间巨大
半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒,由于传统的国际大型厂商成立较早,有
先发优势,而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点,后
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发厂商的客户认证壁垒较高。多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由 AMAT、
LAM、TEL、ASM 等传统设备厂商占有主要市场份额。
为推动我国半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,
相关支持政策不断落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。
由于目前海外半导体工艺设备供应受限,基于供应链安全的考虑,国内晶圆厂商对半导
体工艺设备的国产化需求强烈,本土半导体设备的导入和验证加速。薄膜沉积设备作为
半导体制造的核心设备,将会迎来巨大的发展机遇。
C、薄膜要求提高衍生设备需求
在晶圆制造过程中,薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提
高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂,薄膜性
能参数精细化要求也随之提高,如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、
金属污染控制的要求逐步提高,台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的 ALD 设备因此
获得越来越多的关注。
D、先进制程增加导致设备市场攀升
随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯
片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄
膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nm CMOS 工艺产线大约需要 40 道
薄膜沉积工序;在 3nm FinFET 工艺产线,则超过 100 道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材
料由 6 种增加到近 20 种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉
积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。
目前,基于供应链安全考虑,国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备
向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化进程加快的背景下,国产半导体薄
膜沉积设备迎来前所未有的发展契机。
(1)光伏行业发展情况
速增长,上游相关行业也得到迅速发展。2011 年至 2023 年间,全球年度光伏新增装机
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容量和累计装机容量大幅增长,其中,新增装机容量由 2011 年的 32.2GW 增加至 2023
年的 390GW,增长超过 10 倍。IRENA 根据《巴黎协定》制定的目标进行测算,从现
在起至 2050 年,与能源有关的二氧化碳排放量需要每年减少 3.5%左右,并在此后持续
减少,因此能源的结构组成和变革对于实现气候目标将起到决定性作用,清洁能源的使
用势在必行。鉴于能源载体、技术、成本等方面的优势,太阳能和风能作为最主要的清
洁能源,正在引领全球电力行业变革,对传统化石燃料发电形成了有效代替。
根据 IRENA 预测,未来可再生能源将逐步取代传统能源,占整体能源消耗量的 50%,
其中光伏发电将占总电力需求的 25%。为了实现 2050 年“零排放”的目标,2030 年可
再生能源装机量需达到 2020 年的三倍;到 2050 年,至少有 70%的发电量来自于光伏、
风电等可再生能源,可再生能源装机量需达到 28,000GW。
我国太阳能光伏产业起步相对国外较晚,但受惠于全球光伏行业的高速发展,凭借
国家政策的大力支持与人力资源、成本优势,发展极为迅速。截至 2023 年底,我国光
伏发电装机量达 609.49GW,同比增长 55.24%,连续 9 年位居全球首位;2023 年新增
光伏发电装机 216.88GW,同比增长 148.12%,连续 11 年位居世界第一。
资料来源:CPIA
(2)光伏电池片行业发展情况
同比增长 75.96%。2017 年至 2023 年,我国太阳能电池片产量逐年上升,2023 年我国
电池片产量为 591GW,较 2022 年同比增长约 78.55%。我国电池片生产规模自 2007 年
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开始已连续 17 年居全球首位,全球电池片产业继续向我国集中。
资料来源:CPIA
从各类电池的市场占有率看,2021 年 PERC 电池依然占据电池片大部分市场,市
占率达 91%,N 型电池市占率不足 3%。2023 年,PERC 电池市场占有率逐步缩小,降
至 73%,而 TOPCon、异质结等 N 型电池因其转换效率高,逐步代替 P 型电池,成为
未来光伏电池的主流技术路线,2023 年市占率提升至 26.5%。
(3)光伏设备行业发展情况
①光伏设备行业发展情况
按照光伏制造产业链划分,可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备,
其中硅片设备主要包括单晶炉、切片机等;电池片设备主要包括清洗制绒设备、扩散设
备、刻蚀设备、镀膜设备、丝网印刷设备等;组件设备主要包括焊接机、层压机、测试
机等。
近年来,随着光伏行业快速发展和技术的不断迭代,光伏设备行业总体上处于增长
态势,全球销售规模从 2013 年的 17.5 亿美元增长至 2022 年的 95 亿美元,复合增长率
达 20.68%。
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我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合,以提高设备产能、自动化
程度及转换效率为目标,同时适应大硅片生产,已具备了成套工艺设备的供应能力,基
本实现设备自主生产,并在国际竞争中处于优势地位。自 2010 年以来,中国一直是全
球最大的光伏设备市场。2021 年我国光伏设备产业规模达到 400 亿元,同比增长 43%,
素的影响,主要因素如下:A、国内光伏设备产业随着光伏产业发展逐步实现国产化;
B、新型高效电池片技术的产能扩张;C、大片化、薄片化带动的设备改造和升级;D、
组件技术的量产和扩产。
中国光伏设备产业伴随中国光伏产业共同成长并相互成就,通过多年的持续深耕和
迭代,在各个环节均已基本实现国产化,并成为全球光伏设备行业最主要的组成部分。
根据 CPIA 数据,2022 年,中国光伏设备占全球市场份额的比例已超 90%。通过持续
的创新,光伏设备开始对光伏制造产业进行“反哺”,光伏设备厂商成为推动技术变革
的重要力量,为光伏产业不断降本增效做出努力。
未来,随着市场需求的持续增长、光伏电池片技术的变革,设备更新换代的周期将
会缩短,光伏行业对满足新工艺、新技术设备的需求旺盛。
②光伏薄膜沉积设备应用情况
光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节,根据电池不同工艺和
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所需的薄膜性质,所采用的薄膜沉积设备会有所不同。2018 年-2021 年,我国新建成产
线基本全部为 PERC 产线,针对已经大规模生产的 PERC 电池生产技术,生产设备基本
实现国产化,其中薄膜沉积设备主要用于 PERC 电池的钝化和减反膜的制备。近年来,
光伏电池片技术呈现出持续的创新和变革趋势,随着 PERC 的量产效率已经逐渐接近理
论极限转换效率,以 TOPCon、XBC 和 HJT 为代表的新型高效光伏电池片技术进入规
模化量产阶段。
以 PERC 和 TOPCon 电池为例,其工艺流程及各环节主要设备如下:
(五)行业的竞争格局与公司的行业地位
在半导体领域,半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒,由于传统的国际大型厂
商成立较早,有先发优势,而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成
本高的特点,后发厂商的客户认证壁垒较高。多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场
基本上由 AMAT、LAM、TEL、ASM 等传统设备厂商占有主要市场份额。为推动我国
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半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,相关支持政策不
断落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。由于目前海外
半导体工艺设备供应受限,基于供应链安全的考虑,国内晶圆厂商对半导体工艺设备的
国产化需求强烈,本土半导体设备的导入和验证加速。薄膜沉积设备作为半导体制造的
核心设备,迎来巨大的发展机遇。
在光伏领域,光伏电池片制造环节的规模优势明显、技术迭代较快,在实现规模经
济、降本增效的驱力下,电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用,其中薄膜沉积设
备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。目前,由于
PERC 电池片的量产平均转换效率已逐渐接近理论极限,TOPCon、HJT、XBC 等新型
电池技术路线正逐步成为电池技术的主要发展方向。新建量产产线开始主要聚焦于
TOPCon、HJT、XBC 三种技术路线。本轮技术迭代周期,率先实现技术研发与量产的
领先设备厂商将更具市场竞争力。公司长期深耕光伏新能源产业,在 TOPCon、XBC、
钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货,为下游厂商提供全球
领先的设备产品和解决方案,持续引领行业技术发展。
在半导体领域内,公司已与国内多家头部半导体厂商建立了深度的合作关系,ALD
产业化应用迅速发展的同时,藉由现有的薄膜沉积类产品研发、推广和产业化的经验,
开发了以 CVD 为代表的多种真空薄膜技术产品,相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物
半导体、新型显示、先进封装等细分应用领域,多项设备的镀膜质量、产能水平、稳定
运行能力等关键指标均已达到了先进水平。高介电常数(High-k)栅氧薄膜工艺难度较
大,公司是国内首家将其成功量产应用于集成电路制造前道生产线的设备公司,也是国
内少数成功将该类设备应用于新型存储器制造生产线的设备厂商,并已获得客户重复订
单认可。
在光伏领域内,公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业
之一,已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一。公司与国内头部光伏厂商
形成了长期合作伙伴关系,相关产品已在新型电池产线上得到下游客户广泛认可,在同
类型产品中市场占有率位居第一梯队,并积极开拓海外市场以不断发掘收入增长点。同
时,公司在 CVD 设备上也持续突破,针对 TOPCon 电池技术核心的隧穿氧化层与多晶
硅薄膜研发了可镀导电膜的管式 PECVD ToxPoly 集成技术方案,并成功将研发成果产
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业化,新技术在 TOPCon 的扩产浪潮中也逐步受到行业的认可,PE Poly 设备的市场占
有率不断攀升,客户群体包括通威股份、阿特斯、晶科能源、天合光能等在内的多家知
名太阳能电池片生产商。
(1)先进技术路线优势
公司以 ALD 技术为核心,专注于 ALD 工艺技术研发和应用场景拓展。ALD 工艺
可以在 100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级(1 个纳米约为 10 个原子)的薄膜厚度。
随着制程技术节点的不断进步,ALD 工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电
子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力,会越来越受到青睐。
此外,ALD 技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术,在柔性电子等新型显示、
MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的
应用前景均体现了 ALD 的技术特点及优势,为公司的后续发展提供了广阔市场空间。
(2)优秀的研发团队和完善的产业化应用中心平台的优势
公司创始团队、核心管理人员拥有丰富的国内外顶级半导体设备公司研发和运营管
理经验,并积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师,形
成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的研发技术团队结构合理,专业知识储备深厚,
工艺开发、产线验证经验丰富,是奠定公司技术实力的基石。
同时,公司已建立的产业化应用中心以现有技术为基础,围绕国产设备自主生产的
战略需求,结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求,针对先进技术和工艺性能,
搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项目、新企业发展孵化器。产业化
应用中心使公司具有前瞻应用定制化能力,可为客户提供全场景 Demo 设备线,从而能
够及时响应客户的各类需求,为客户提供全方位的解决方案。
(3)技术积累与研发创新能力优势
公司坚持自主研发,已形成先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技
术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等十一项核心技术,上
述核心技术成功应用于公司各类产品。公司半导体 iTomic HiK 系列 ALD 设备和光伏
KF 系列 ALD 设备均被评为江苏省首台(套)重大装备产品,半导体领域设备成为国产
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首台成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型 High-k 原子层沉积设备,其他产品
也已在半导体及泛半导体领域经过量产验证,并获得重复订单。
(4)平台化的产品矩阵布局优势
公司的设备产品覆盖半导体、光伏、柔性电子等不同的下游应用市场。在半导体领
域,公司以 ALD 为核心正逐步拓展 CVD 等多种镀膜技术和产品;在光伏领域,公司
持续推进以 ALD 为核心的工艺整线策略和新一代高效光伏电池技术开发;公司同时依
托产业化应用中心平台探索先进薄膜沉积技术在其他新兴应用领域的发展机会。多领域、
多品类产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响,同时不断拓
宽公司市场规模和成长空间。
(5)优质客户资源优势
在半导体领域内,公司率先攻克难度较高的逻辑电路栅氧层氧化铪工艺并获得了客
户的重复订单,为公司向全工艺段覆盖奠定客户基础。公司先后获得逻辑、存储、化合
物半导体、新型显示和先进封装领域内多家国内知名半导体公司的商业订单,并与多家
国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。光伏领域
已覆盖包括通威股份、隆基绿能、晶澳科技、晶科能源、阿特斯、天合光能等在内的多
家知名太阳能电池片生产商,其中在钙钛矿电池领域,公司首台应用于钙钛矿晶硅叠层
电池管式 ALD 量产设备取得客户验收,应用于钙钛矿电池的板式 ALD 设备获得行业
头部客户百兆瓦级量产设备订单。
(6)高效客户服务优势
公司主要产品为非标准化产品,通过将基础研发与行业应用紧密结合,以下游企业
的实际需求为研发导向,为客户定制化开发可量产的工艺及设备。公司技术服务体系健
全,能够为客户提供驻厂技术服务支持,实现及时现场排查故障、解决问题,保证快速
响应客户的需求,缩短新产品导入的工艺磨合时间,从而建立起差异化竞争优势,提升
下游客户满意度。
(1)半导体领域
在半导体领域,设备制造商以国外企业为主,东京电子(TEL)、先晶半导体(ASM)
、
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泛林半导体(Lam)、应用材料(AMAT)、日本国际电气(KE)均为全球知名的设备
制造商,产品线涵盖薄膜沉积设备,其基本情况如下:
序号 名称 成立时间 企业简介
Lam 总部位于美国,是世界半导体产业提供晶圆制造设备和服务的主要供
应商之一。该公司产品线涵盖薄膜沉积、刻蚀、剥离和清洗等多个类型。
ASM 总部位于荷兰,产品涵盖了晶圆加工技术的重要方面,包括光刻、沉
积、离子注入和单晶圆外延。
AMAT 总部位于美国,产品横跨 ALD、CVD、PVD、刻蚀、CMP、RTP 等
除光刻机外的几乎所有半导体设备。
TEL 总部位于日本,是日本最大的半导体成膜、刻蚀设备公司。该公司产
品线中包含 ALD 设备。
KE 总部位于日本,以成膜技术为核心,生产高品质的半导体制造设备,该
公司产品线包含 ALD 设备。
国内企业中,主营业务涵盖半导体薄膜沉积设备的主要有北方华创、拓荆科技、中
微公司三家,其基本情况如下:
序号 名称 成立时间 企业简介
国内领先的半导体设备供应商,其刻蚀机、PVD、CVD、ALD、氧化/
扩散炉、退火炉等产品在集成电路及泛半导体领域实现量产应用。
中微公司主要为集成电路、LED 芯片、MEMS 等半导体产品的制造企
ALD 等设备的开发及工艺应用开发。
(2)光伏领域
目前,国内光伏设备已基本实现自主生产,并在国际竞争中处于优势地位。公司光
伏领域薄膜沉积设备的竞争对手包括主要采用 ALD 技术的无锡松煜、理想晶延,以及
主要采用 PECVD 技术的捷佳伟创、北方华创、红太阳、拉普拉斯、Centrotherm(商先
创)等。
序号 名称 成立时间 企业简介
无锡松煜主要产品包括 ALD、管式 PECVD、LPCVD、三合一 PECVD
沉积系统等产品。
捷佳伟创产品涵盖原生多晶硅料生产设备、硅片加工设备、晶体硅
电池生产设备等。
北方华创是由七星电子与北方微电子完成并购重组而成,其 PECVD
产品已在光伏领域实现批量销售。
红太阳是中国电子科技集团控股子公司,主要产品包括 PECVD、
LPCVD、ALD、扩散炉、氧化炉等。
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序号 名称 成立时间 企业简介
路与微电子工业的生产解决方案。其中,光伏技术的生产设备包括
管式低压扩散炉、PECVD 系统、LPCVD 系统、快速烧结炉、再生
炉等。
(1)技术壁垒
在半导体领域,由于芯片由不同模块集成,薄膜沉积是大多数模块工艺的关键步骤,
薄膜本身在不同模块/器件中的性能要求繁多且差异化明显。薄膜沉积工艺需要持续发
展,新材料出现或器件结构的改变要求不断研发新的工艺或设备。同时,薄膜性能不断
提升的需求要求工艺及相关专用设备具备更好集成度;更严苛的微尘控制和热预算要求
提出了温度条件更严格、台阶覆盖率更高、薄膜厚度控制更精准的薄膜生长工艺需求;
沉积过程还要考虑沉积速率、工艺稳定性、环境污染、设备可靠性等各项严苛的指标。
因此,薄膜沉积技术是一项涉及多个跨学科领域的高端技术,该技术在真空等特殊环境
下实现化学反应,制备的薄膜材料为纳米级,并且工艺性能要求极高,从而导致薄膜沉
积设备在晶圆制造生产环节诸多技术中,具有较高的技术壁垒和技术难度。
在光伏领域,光伏电池片制造需要经历扩散、镀膜等多个工艺环节,最终实现特定
的结构。对薄膜沉积设备供应商,既要求深入了解所镀薄膜的材质、厚度、均匀度、致
密度以及成本等,同时还要能够综合运用热、电、气或光等物理或化学原理,并结合材
料特性、化学反应特点、核心零部件参数特征,设计开发出实现特定工艺的设备,具有
较高的技术壁垒。
(2)市场壁垒和客户认证壁垒
在半导体领域,由于薄膜沉积设备及工艺技术行业壁垒较高,传统的国际大型厂商
成立较早,在薄膜种类和相关工艺方面不断突破,具有先发优势,因此行业集中度较高。
而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点,后发厂商的客
户认证壁垒较高,目前全球薄膜沉积设备市场基本上由 AMAT、LAM、TEL、ASM 等
传统设备厂商垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入,我国半导体制造体系和
产业生态得以逐步建立和完善;但从国内主流晶圆厂累计招标情况统计,半导体薄膜沉
积设备的国产化率仍处于较低水平,国产厂商在薄膜沉积领域工艺覆盖类型方面尚不完
善,仍有较大发展空间。
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在光伏领域,下游光伏电池片行业市场集中度较高,且薄膜沉积是影响电池片光电
转换效率的重要环节,因此头部企业对薄膜沉积设备供应商的设备工艺、量产良率、综
合服务能力等要求较高,并且和其已有供应商具有较高的粘连性,对于引进新供应商持
审慎态度,从而对薄膜沉积设备供应商形成一定的客户认证壁垒。
(3)资金壁垒
薄膜沉积设备技术要求高、更新迭代快、研发及生产环境要求严苛,因此行业投资
规模较大,主要体现在量测设备投资、研发资金投入以及高标准洁净间等场地建设投入。
从行业的发展趋势来看,为了提高公司的竞争实力,满足客户日益严苛的要求以及应对
激烈的市场竞争,前述成本的投入将逐步增加,不能持续投入进行技术开发和升级改造
的生产商将逐步被淘汰。因此,拟进入薄膜沉积设备行业的企业将面临较高的资金壁垒。
(六)公司所在行业与上下游行业之间的关联性
公司的上游企业主要为真空系统类、特殊气体系统类等元器件供应商和外协加工商。
由于薄膜沉积设备整体设备工艺性能的实现需要根据设计方案进行核心零部件选型、元
器件定制化采购和组装,因此除了部分基础类的通用元器件之外,需要供应商根据公司
的设计方案进行定制化生产加工。公司与主要供应商建立了持续的合作关系,上游产品
供应相对充足。
公司的下游客户主要为半导体芯片制造厂商和光伏电池片厂商等。无论在半导体还
是光伏领域,薄膜沉积设备均是下游客户产线上的核心设备,占产线投入比例较高,且
对于客户生产的产品质量和性能具有重要影响:对于半导体芯片制造厂商来说,薄膜沉
积和刻蚀、光刻设备为集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备,其中薄膜沉积设备
制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用,直接影响半导体器件性能,
薄膜沉积设备占晶圆制造设备投资总额达到 20%以上;对于光伏电池片厂商来说,薄膜
沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率,薄膜沉积设备在产线上的投资占
比从 PERC 电池的 26%提升至 TOPCon 等新型高效电池的 30%以上。因此,公司薄膜
沉积设备在下游客户的技术路线实现和迭代发展中起到至关重要的作用。
综上所述,从产业链整体来看,薄膜沉积设备的上游供应相对充足,在下游客户的
技术路线实现和迭代发展中起到至关重要的作用,因此公司的薄膜沉积设备在上下游产
业链中具有重要地位。
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九、公司主营业务具体情况
(一)公司主营业务、主营产品或服务
公司是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子
层沉积(ALD)技术为核心,化学气相沉积(CVD)等多种真空薄膜技术梯次发展的
产品体系,专注于先进微米级、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产与销售,向下游客户
提供先进薄膜沉积设备、配套产品及服务。
在半导体领域内,公司是国内首家成功将量产型 High-k 原子层沉积设备应用于集
成电路制造前道生产线的国产设备厂商,是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量
产线的硬掩膜化学气相沉积设备(CVD)国产厂商,也是行业内率先为新型存储提供
薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系,
相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示(硅基 OLED 等)、先进封装
等诸多细分应用领域,多项设备关键指标达到先进水平,能够满足国内客户当前技术的
需求。在光伏领域内,公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企
业,已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一,与国内头部光伏厂商形成了
长期合作伙伴关系。同时,公司跟随下游厂商的量产节奏,持续优化 XBC、钙钛矿、
钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术,引领光伏行业技术迭代。
作为国家高新技术企业,公司先后荣获国家“专精特新”小巨人企业、国家知识产
权优势企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业(制造类)等称
号,并被认定为国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江
苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室、
江苏省博士后创新实践基地、江苏省研究生工作站,承担多项国家、省级重大科技专项。
公司自主研发的 iTomic HiK 系列 ALD 设备被认定为江苏省首台(套)重大装备以及第
十五届“中国半导体创新产品和技术奖”,iTomic MW 系列批量式 ALD 设备荣获中国
集成电路创新联盟第七届“IC 创新奖”。
公司目前已开发和正在开发适用于半导体、光伏等应用领域的多款薄膜沉积设备,
并提供配套产品及服务,具体如下:
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(1)半导体领域
产品系列 产品图示 产品说明
适用于高介电常数(High-k)栅氧层、MIM 电容器绝
iTomic 系列 缘层、TSV 介质层等薄膜工艺需求。产品凭借原子级
原子层沉积 别的精确控制、沉积薄膜的高覆盖率和超薄膜厚的均匀
系统 性,可为逻辑芯片、存储芯片提供介质层等关键工艺解
决方案。
采用创新的批量型(mini-batch)腔体设计,可一次处
iTomic MW 理 25 片 12 英寸晶圆,适用于成膜镀率低、厚度要求高
系列批量式 以及产能要求高的关键工艺及应用。产品利用特有的流
原子层沉积 场设计,具有成膜速度快、占地面积小、产能高、使用
系统 成本低等优势,为存储芯片以及 Micro-OLED 显示器、
MEMS 等提供定制化量产的解决方案。
产品采用原创设计开发的自动化平台与模块化 ALD 反
应腔相结合,可以按需配置 PEALD 或 Thermal ALD 等
iTomic Lite 系 工艺需求。产品具有强大的兼容性,其硬件配置在保持
列轻型原子 量产机型强大功能的前提下,可满足各类晶圆尺寸(6、
层沉积系统 8 英寸)量产工艺需求,同时也可满足客户高端研发和
新工艺试量产需求,可广泛应用于 MEMS、光电器件
等泛半导体器件领域。
产品可根据不同温度要求制备氧化硅、氮化硅、氮氧化
iTomicPE 系 硅、氮碳化硅等薄膜,通过精准快速控制成膜速度、低
列等离子体 反应温度、材料配比等技术,实现材料厚度均匀性、膜
增强原子层 应力、热过程以及阶梯覆盖率等极具挑战的工艺需求。
沉积系统 可为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供客制化掩膜
层、介质层、多级图案化等关键工艺解决方案。
产品采用自主研发的反应腔室和电气软件集成化服务,
iTronix 系列 在逻辑、存储、先进封装、显示器件等芯片制造领域具
化学气相沉 有广泛应用,可满足多种功能性薄膜沉积工艺的开发和
积系统 应用需求。搭载新型平台可安装更多反应腔以满足高产
能需求。
公司独立研发的、适用于高产能半导体制程设备的晶圆
Trancendor 系
传输系统。该系统可根据客户工艺需要,灵活挂载一至
列晶圆真空
多个工艺腔体(每个工艺腔体可配备一至多个工作站)
传输系统
在真空环境下进行快速高效晶圆传输。
(2)光伏领域
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产品系列 产品图示 产品说明
采用原创的反应腔体设计和先进的薄膜沉积技术及自
动化集成技术,可为高效晶硅太阳能电池表面钝化提供
高质量超薄钝化膜的制备,确保电池光电转换效率的进
夸父(KF)系列批 一步提升。基于成功量产机型的设计原理,该产品是公
量式 ALD 系统 司原创设计的第七代产品,代表了光伏行业国产创新设
备的先进技术,在提供超高产能的同时,最大程度降低
设备的运营成本,为客户提供可靠的量产解决方案,引
领光伏产业化高效电池智能化制造。
祝融系列(ZR5000×1)管式 PECVD 系统突破性解决
传统管式 PECVD 的产能瓶颈,可与公司 ALD 钝化技术
无缝对接,确保 PERC、TOPCon、XBC 等高效电池生
产。以先进技术和装备高度集成,形成高质量、高产能、
低成本的产业化量产。祝融系列(ZR5000×2)管式
PEALD/PECVD 集成系统利用公司原创设计的工业级等
离子体增强原子层沉积(PEALD)技术,以及行业创新
的 PEALD/PECVD 同管技术,实现了超高产能的批量型
祝融(ZR)系列管 PEALD 镀膜,是 ALD 领域量产化技术又一次突破,专
式 为接触钝化技术(TOPCon、HPBC、SHJ、POLO 和 TBC)
PEALD/PECVD 量身定制,为后 PERC 高效电池技术提供可靠的量产解
系统 决方案,引领光伏产业化高效电池智能化制造。祝融系
列(ZR5000×3)管式 PEALD/PECVD 集成系统一体式
设计实现氮化硅正膜、氧化铝/背膜、氧化硅/多晶硅钝
化膜一站式完成,可实现单道产能翻倍,节省占地面积。
同时兼具先进的制造执行管理系统(MES)和自动导引
车(AGV)对接功能。在提供超高产能的同时,最大程
度降低设备的运营成本,为后 PERC 高效电池技术提供
理想可靠的量产解决方案,引领光伏产业化高效电池智
能化制造。
采用原创设计的高温热场控制技术,真正实现了兼容
磷、硼两种扩散工艺,其中硼扩散工艺又兼容 BBr3 和
BCl3 两种工艺源。独创的冷却技术可提升设备与零件的
羲和(XH)系列
使用寿命,同时缩短了工艺时间,为 PERC+和 TOPCon
高温低压系统
等下一代量产高效电池的提效降本,提供了全套的主机
及先进的工艺解决方案。此外,羲和系统也提供退火、
氧化和低压化学气相沉(LPCVD)功能。
采用自主知识产权的真空腔内温场和流场设计,实现空
间型原子层沉积镀膜工艺方式,为钙钛矿薄膜太阳能电
后羿(HY)系列 池组件产线提供高质量氧化物功能薄膜材料,以确保量
板式 ALD 系统 产组件的高效率和长寿命。面向平米级玻璃衬底,适配
线型产线的生产节拍,集成成熟的上下料自动化方案,
为客户提供可靠的大规模量产高速镀膜解决方案。
(3)其他新兴应用领域
产品系列 产品图示 产品说明
基于自主研发,将超大空间型 ALD 镀膜技术与真空卷对卷技
iSparol 系
术结合,开发大型卷对卷原子层沉积镀膜平台。其中平台集
列卷对卷
成超大型平面原子层沉积(ALD)系统,并开发满足产业化
ALD 系统
量产的成熟工艺材料体系,实现在超大宽幅柔性基材上制备
江苏微导纳米科技股份有限公司 向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书
产品系列 产品图示 产品说明
高阻隔膜的整体解决方案。经过多年产业化验证和装备升级
已经迭代到二代产品。
除上述专用设备外,公司还为客户提供配套产品及服务,主要包括设备改造、备品
备件及其他两类业务。
①设备改造:公司的设备采用模块化设计,公司可以针对市场需求和技术发展趋势,
为已销售的在役设备提供改造服务,以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果,
提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备,设备改造的内容主要包
括尺寸改造、工艺改造等。
②备品备件及其他:公司设备在运行过程中,部分零部件会出现正常损耗,因此下
游客户需向公司采购易损耗的零部件。公司还针对设备零部件提供清洗、耗材更换等后
续服务。
(二)公司的业务模式
公司根据生产需要制定采购计划,在合理控制库存的同时,保证物料供应的及时性。
对于标准件,尤其是从境外进口的零部件,公司备有一定的安全库存。对于标准件,公
司向供应商直接采购。非标准件为公司根据特定技术需求设计,公司主要通过向供应商
提供设计图纸、明确参数要求,由供应商加工完成。
为保证公司产品的质量和性能,公司制定了严格的供应商选择和评估制度。公司主
要考察供应商的经营资质、生产能力、质量管控能力、产品品种、价格、交货周期、研
发和设计能力等因素,结合供应商配合程度、约定付款周期、试制件情况等综合评定,
关品牌的供应方式采用从品牌厂商直接采购或代理厂商采购方式,公司核心部件供应厂
商一般为国内外知名企业,核心部件的供应较为稳定。
(1)定制化设计与生产
公司根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产,以满足客户的差异化需
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求。
在获取销售合同或采购意向后,由项目部负责整个项目过程的进度管控与相关节点
事宜协调。公司根据客户要求提供生产资料,并根据零件特性及投料需求,组织采购。
生产部根据生产计划、零件到货情况和技术要求制定部件的装配计划,对装配过程
进行外观、功能、关键工序、定位连接等进行自检。完成装配作业后进行工艺调试,根
据检验标准的要求进行检验后组织打包发货。
(2)外协加工情况
公司在设备生产中存在外协加工的情况,公司外协加工包括外购加工件和委外加工
两种情形:
①外购加工件是供应商按照公司的图纸和技术要求、来料检验标准等向公司提供非
标准化的定制采购件。该种情形下,公司直接向其购买产品,原材料由供应商自己采购
及准备。
②委外加工是由供应商对公司提供的在产品进行机加工或进行表面处理。委外加工
企业在加工完成后将在产品交还给公司,公司支付委外加工费。委外加工涉及的主要环
节包括机加工、钣金加工和表面处理等,机加工是指外协厂商根据公司的设计要求将原
材料使用合适的机加工设备进行切削等加工处理,具体包括车加工、铣加工等;表面处
理是在基体材料表面上形成一层与基体的机械、物理和化学性能不同的表层的工艺方法,
目的是满足产品的耐蚀性、耐磨性、装饰或其他特种功能要求,具体包括喷塑、镍磷处
理、镀铬处理、氧化处理等。
公司的销售模式为直销,主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。同时,公司也
积极参加国内外专业展会、论坛,加强客户资源开发力度。公司的销售流程主要包括市
场和客户需求调研、销售洽谈及销售合同的签订、发货及客户验收。
对于已经形成批量销售的成熟机型,在与客户接洽后可以直接进入商务谈判或者招
投标环节;对于部分首次购买客户,即使是成熟机型,在给该客户第一次供货前一般需
要提供样机进行试用,试用满足客户要求后,再进入商务谈判或者招投标环节;对于新
研发机型,根据客户需求,公司可能需要提供样机交由客户评测,再根据客户评测结果
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对新研发机型进行改进升级,待样机达到客户的技术指标后,再进入洽谈及合同签订环
节。
设备运至客户指定的位置后,公司负责组织安装调试、配合客户生产工作,并提供
技术指导、售后跟踪和维修服务。
公司主要采取自主研发模式,根据研发阶段和内容将研发人员分为机械设计、电气
和软件开发、工艺开发三类。机械设计类主要负责进行机械研发,主要职责是对新机型
的研究与开发、对老机型的更新和改进、对车间装配和设备调试的技术支持,以及对工
艺研发中涉及到机械硬件的技术支持;电气和软件类主要是负责电气及设备运行软件开
发以及设备运行的电气和程序维护,对工艺开发中涉及到的技术提供支持;工艺开发类
主要负责开发新产品所需要的各类镀膜工艺以及设备在客户端量产导入前的各类应用,
同时为客户开发更先进的量产工艺技术。
公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、
产业验证阶段、产业化应用阶段,具体情况如下:
(1)需求提出
公司研发项目的来源一般包括:①战略需求:根据市场的发展趋势转化的产品潜在
需求;②客户需求:来源于销售合同或技术协议的信息;③内部需求:已有产品性能、
功能、外观等涉及技术难度较大的改动项目等。
(2)立项和规划阶段
研发负责人根据产品和技术发展方向或者客户需求提出设计开发任务,填写新项目
审批表,项目管理人按照新项目审批表的要求,制作项目计划表(里程碑),并召集工
艺、机械、电气、项目、质量、生产等职能部门召开项目启动会议,对项目进行讨论、
评审并立项。
(3)开发实现阶段
研发人员对研发项目进行设计,形成设计方案和三维模型并进行评审,并形成《研
发评审表》。后续项目管理人对项目的设计进行管控,及时发现问题以确保设计结果满
足要求的能力。
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根据经过评审确定的设计方案生产研发样机,研发人员通过实验测试对研发样机进
行调试和优化,使研发样机能够满足基本的功能及性能要求。
(4)产业化验证阶段
公司通过样机开发过程中所提出的产品设计变更以及工艺要求,同时根据特定客户
生产实际需求,开发量产机型。
公司将满足条件的量产样机运往产线上进行组装和调试,并经客户验证。验证过程
若出现问题,相应研发人员进行及时研究、整改,直至满足设计目标。该阶段完成后标
志着机台开发完成可进入产业化应用阶段,可批量进入客户生产线投产运行。
(5)产业化应用阶段
本阶段是在研发样机开发完成的基础上,根据市场及客户的需求进行批量生产交付,
标志着机台技术已经成熟。为了保证产品技术及工艺水平,研发人员会在产品量产过程
及全生命维护阶段对其进行持续的技术升级与工艺优化,并确保最新的研发成果在产品
上实现应用。
(三)生产、销售情况和主要客户
公司设备的生产需要由生产人员根据产品各模块与整机图纸进行装配,公司可根据
在手订单数量灵活安排各类产品的生产规模和用工人数,公司产品的产能存在一定弹性。
报告期内,公司产量、销量情况如下:
单位:台/套
项目
产量 销量 产销率 产量 销量 产销率 产量 销量 产销率
专用设备 486 453 93.21% 699 272 38.91% 185 109 58.92%
注:当期销量是指当期确认销售收入的机台数量,下同。
报告期内,公司向前五名客户的销售情况如下:
单位:万元
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占主营业务
序号 客户名称 主要销售内容 销售额
收入的比例
和光同程光伏科技(宜宾)
有限公司
合计 136,892.48 50.78%
占主营业务
序号 客户名称 主要销售内容 销售额
收入的比例
合计 130,355.52 77.67%
占主营业务
序号 客户名称 主要销售内容 销售额
收入的比例
合计 45,716.13 66.85%
注:受同一实际控制人控制的客户已合并计算。
报告期内,公司前五名客户销售收入占主营业务收入的比例较高,分别为 66.85%、
度较高,以及主要客户采购和实施节奏影响。报告期内,公司不存在向单个客户销售占
比超过 30%情形。报告期内,公司前五名客户存在一定波动,主要系受到客户采购和实
施节奏的影响。
报告期内,公司、董事、监事、高级管理人员或持有公司 5%以上股份的股东与前
五名客户之间不存在关联关系。
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(四)采购情况和主要供应商
(1)报告期内主要原材料采购情况
公司所需原材料主要分为真空系统类、特殊气体系统类、电器类、气动控制传动类、
机械一体类、石墨石英类、仪器仪表类、五金耗材类等部件,其中主要类别对应的零部
件具体情况如下:
类别 产品名称
真空系统类 干泵、真空阀、真空腔体、传输阀门、法兰陶瓷件等
特殊气体系统类 EP 级管路、气路板、臭氧发生器、源瓶、波纹管等
电器类 等离子体电源、伺服驱动器、变频器、断路器、滤波器、传感器等
气动控制传动类 气缸、气接头、电缸、减压阀、速度控制阀、减速机等
机械一体类 机器人、尾气处理器、机柜、机架、紧固件等
石墨石英类 陶瓷、石墨舟、石英管等
仪器仪表类 液体压力表、温度测试仪、真空压力计等
五金耗材类 线缆、螺丝批、缠绕膜、端子、化学源、O 型圈等
(2)报告期内主要能源供应情况
报告期内,公司生产过程中电力为最主要能源,其消耗主要为厂务设备运行用电、
整机调试环节用电等。报告期内,公司生产活动消耗电费金额分别为 446.15 万元、
规模扩大所致。报告期内,公司生产过程中耗水量较小,主要用于产品调试环节。公司
生产过程中所用水电均来源于本地给水及电网,供应稳定。
报告期内,公司向前五名供应商采购情况如下:
单位:万元
序号 名称 采购内容 采购额 采购比例
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合计 60,933.52 28.16%
序号 名称 采购内容 采购额 采购比例
真空系统类、特殊气体系
统类
合计 52,448.98 16.94%
序号 名称 采购内容 采购额 采购比例
无锡晶立元电子技术有限
公司
真空系统类、特殊气体系
统类
合计 12,143.42 13.09%
注:受同一实际控制人控制的供应商已合并计算。
报告期内,公司前五名供应商采购占采购总额的比例分别为 13.09%、16.94%和
依赖少数供应商的情况。报告期内,公司前五名供应商存在一定波动,主要系丰富采购
渠道及半导体业务采购需求增加所致。
(五)境外采购、销售情况及有关贸易政策的影响
报告期内,公司向境外采购的金额分别为 6,090.33 万元、46,536.71 万元和 54,804.34
万元,占采购总额的比例分别为 6.56%、15.03%和 25.33%。报告期内公司中国境内、
境外采购情况如下表所示:
单位:万元
中国境内采购 境外采购
项目 合计
金额 占比 金额 占比
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中国境内采购 境外采购
项目 合计
金额 占比 金额 占比
注:中国境外采购金额系直接向中国境外供应商主体采购的金额。
公司存在部分元器件向境外采购的情况,包括质量流量控制器、气动阀件、真空压
力计等,但国际市场上相关产品的供应商数量较多,公司对单一相关供应商不存在依赖,
此外公司主要向亚洲和欧洲的境外供应商采购,根据相关国家法律法规要求,公司主要
境外采购的元器件并非受限产品。除此以外,公司正积极验证本地化零部件产品,持续
拓展多元化采购渠道。
报告期内,发行人主营业务收入主要来源于中国境内,报告期内,内销收入比重均
超过 95%。公司境外销售占比较低,对经营业绩影响相对较小。
单位:万元
项目 2024 年度 2023 年度 2022 年度
境外收入 11,289.37 3,431.28 2,216.72
主营业务收入 269,594.07 167,830.35 68,383.71
境外收入占主营业务收入比例 4.19% 2.04% 3.24%
(六)现有业务发展安排及未来发展战略
(1)技术研发计划
公司将继续坚持以客户需求作为技术研发导向,持续增加研发投入,密切追踪最新
的技术及发展趋势,持续开展对新技术的研究,加快产品创新。公司不断完善研发管理
机制和创新激励机制,对在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出贡献的技术研发
人员均给予相应的奖励,激发技术研发人员的工作热情。公司持续加大研发投入力度,
搭建更好的研发实验环境,为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。
(2)市场营销和服务开展计划
公司将继续密切关注客户需求,在满足现有客户对设备需求的同时,深度挖掘现有
客户的其他需求,并积极拓展国内外其他知名客户,不断支持公司扩大业务规模。在产
品技术路线交流、销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决方案。
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(3)人力资源计划
公司将根据未来技术发展规划和现有人才储备状况,不断加强人才队伍的建设工作。
公司根据业务发展需求,制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划及具体实施办法,
建立、健全公司科学化、规范化的人力资源管理系统,注重国内外高端专业技术人才的
引进。通过人才培养计划,满足公司发展的人力资源需求,强化技术研发团队的力量。
公司增强核心经营人员和技术人员的稳定性,持续推进人才培养计划,进一步提升研发
队伍的创新能力,不断促进员工综合素质及业务水平的提高。
(4)产品开发规划
公司将根据发展战略完善产品矩阵和产品线,并重点建设 ALD、CVD 技术高端装
备产业化研发中心。依靠公司核心技术加大研发力度,开发系列化高端集成电路制造所
需的 ALD、CVD 设备及团簇式集成平台等产品。与国内外顶尖半导体及泛半导体制造
商加深合作,大力开发量产化工艺技术,实现专有工艺配合专用设备的配套,提升产品
技术壁垒,增强产品在国际市场的竞争力。公司将大力开发新能源领域产业化应用技术
和专用产业化装备,积累前沿技术产业化应用的知识产权,布局前瞻性技术领域关键产
业化技术以及整体解决方案。
(5)知识产权发展规划
公司已制定知识产权战略发展规划,根据工作目标和工作任务积极推进。首先,以
完善知识产权管理体系为主,加大知识产权经费投入,提升知识产权信息综合运用,开
展关键产品专利技术分析工作,辅助研发创新的同时,形成知识产权产出,完善关键产
品专利海外布局,积累知识产权优势;其次,以高价值专利培育为主,持续推进关键产
品专利技术分析工作,进一步完善关键产品专利布局,提高和加强纠纷应对能力;最后,
以自身技术为出发点开展运营,全面持续推进知识产权布局及保护工作。
(6)市场拓展规划
公司将加强和健全各事业部的专业化、国际化市场营销团队,提升营销团队的专业
技术